中國記憶體晶片逆襲！長江存儲270層技術震撼業界 南韓三星、日本鎧俠坐立不安

中國在記憶體領域正展現出強勁的發展勢頭，引發全球矚目，長江存儲科技作為業內新興力量，取得了令人矚目的成就，其新型儲存半導體堆疊層數約達 270 層，接近三星電子水準，這項技術突破讓競爭對手驚嘆「沒想到技術水平提高到這種程度」。

在中美對立的大背景下，長江存儲借助中國政府鼓勵使用國產半導體的優惠政策，迅速提昇技術實力，NAND 銷售份額首次超過全球 10%。

根據 Counterpoint 數據，長江存儲今年首季在全球 NAND 出貨量中所佔份額首次達到 10%，第三季年增率更成長 4 個百分點至 13%，直逼世界第 4 的美國美光科技。

以中國品牌的筆電和智慧手機為中心，長江存儲產品獲採用數量不斷增加，全年市佔率可望超過一成。儘管目前銷售額僅佔全球 8%。

長江存儲目標是在 2026 年底前獲得 15% 的銷售份額，推動武漢周邊工廠投資，完成後將佔全球供應量 2 成左右，超過日本鎧俠，直逼南韓 SK 海力士。

在 DRAM 領域，長鑫存儲今年第三季市佔率 8%，居世界第 4 位，較 2024 年同期提升 2 個百分點，在中國擁有約 40% 市佔率，但在高頻寬記憶體 (HBM) 技術方面落後 5 年。

中國記憶體企業在價格上優勢明顯，NAND 比其他國家生產的便宜一到兩成左右，但由於美國 2022 年將長江儲存列為限制對象，日本企業也因擔憂未積極採用。

但中國在其他領域憑藉價格競爭力獲得海外市場。國際半導體產業協會分析指出，即便受到美國限制，中國廠商良品率仍在增加。若價差持續，採用中國記憶體恐成必然趨勢。

此外，南韓記憶體晶片廠商雖在 HBM 市場佔優，但原料與設備依賴海外，且缺乏混合鍵結核心專利，面臨專利訴訟風險，而中國相關專利快速成長，三星已跟長江存儲簽署相關專利授權協議。

韓國智慧財產振興院 (KIPRO) 研究員 Kim In-soo 上月底受訪時說，雖然南韓記憶體晶片廠商在製造與堆疊 HBM 方面表現優異，並佔據大半 HBM 市場，但原物料與設備卻過度依賴海外公司，加上南韓企業缺乏與 HBM 相關的混合認證讓他們面臨專利訴訟風險。

他並指出，雖然南韓持有第二大規模 HBM 相關專利，但品質與影響力「低於平均水準」，因為南韓在核心設備與材料上仰賴進口，對南韓企業構成風險，相關公司目前可能仍傾向通過不公開的協商方式簽訂授權協定，但從 2026 年混合鍵合開始商業化後，這些問題可能最終演變成訴訟。