億而得IP權利金續揚 新一代熔絲IP明年下半年進入驗證

全球嵌入式非揮發性記憶體 (eNVM) IP 廠億而得 (6423-TW) 今 (31) 日舉行創新板轉上櫃前業績發表會。公司表示，IP 權利金將持續成長，且新一代熔絲 (Fuse) 元件已完成專利申請，相較現有的反熔絲更具競爭力，預估 2026 年上半年會在 55/40/28 奈米進行投片，下半年進入驗證，可望挹注後續營運。

億而得受惠於物聯網、快充、工控與智慧電力等應用持續成長，該公司憑藉深厚的嵌入式記憶體矽智財 (SIP) 技術實力與完整生態系規模，穩坐邏輯製程多次寫入 eNVM 技術領先者地位；在權利金貢獻度拉升下，公司近兩年毛利率皆高達 99%，幾近「純 IP 獲利結構」，在半導體產業鏈中屬極為罕見的高獲利體質。

億而得專注於與標準邏輯製程高度相容的嵌入式非揮發性記憶體 SIP 開發，產品橫跨 OTP Plus、FTP、MTP、EEPROM 等多元架構，並已全面量產導入市場。

億而得第五代浮動閘級記憶細胞技術已成功將 OTP Plus、FTP、MTP、EEPROM 等多次抹除寫入產品，第五代浮動閘級記憶面積小，競爭力居於業界領先水準；目前持續提升讀取速度，在成本與效能兩端同步強化競爭力。

在新技術布局方面，億而得已完成第二代 Anti-Fuse(反熔絲)IP 驗證，並著手設計第三代反熔絲 IP，持續縮小面積。另外新研發的熔絲 (Fuse) 元件，已完成專利申請，並同步進入 IP 設計，新研發的熔絲 (Fuse) 元件僅由 1 個電晶體組成，相較反熔絲 IP 更具競爭力，預估 2026 年上半年會在 55/40/28 奈米進行投片，下半年進入驗證，主要應用範圍包含手機面板驅動 IC 市場、感測器及 HPC 等，並可使用於先進邏輯製程節點上。

不同於嵌入式 Flash 需增加 7 至 11 層光罩、推升晶圓成本 30-50%，億而得的嵌入式 MTP SIP 採標準邏輯製程即可導入，光罩層數低、整體成本結構具明顯優勢，也使其成為客戶由嵌入式 Flash 轉向的關鍵解決方案，特別是在客製化的解決方案。

多年深耕也讓億而得建立起難以複製的 eNVM 生態系護城河。截至目前，億而得的 eNVM SIP 已導入超過 26 家晶圓代工廠，其中 17 家進入量產階段，完成超過 470 組產品組合，活躍客戶數逾 110 家，並有超過 386 萬片晶圓、253 億顆晶片出貨。由於 SIP 需通過晶圓代工廠與 IDM 雙重驗證，導入時程冗長，且需高度客製化開發，使後進者難以快速追趕，也強化客戶黏著度。

從市場面來看，eNVM 幾乎是 MCU、PMIC、Driver IC、感測器、IoT SoC 等晶片的標配模組。隨著快充協定、智慧電力、工控、家電智慧化與物聯網應用持續擴張，帶動 OTP、MTP、EEPROM 長期需求穩定成長。

市調機構 ArstaResearch 指出，全球 eNVM IP 市場規模 2024 年約 3.6 億美元，預估 2025 至 2031 年年複合成長率約 10%。億而得 NVM SIP 已廣泛應用於 TFT LCD 驅動 IC、LED Driver、電源管理 IC、MCU、車用 IC、IoT IC、MEMS 與 CIS 感測領域，並持續鎖定快充、USB Type-C、PD 快速充電協定、無線充電、工控與車用市場深化布局。

在商業模式方面，億而得採「一次授權、長期權利金」的高毛利 IP 模式，營收具高度可預測性。2024 年公司技術權利金收入占營收比重高達 77.43%，技術服務收入占 22.57%，權利金收取比例約為晶圓售價的 1% 至 5%。近兩年毛利率皆高達 99%，且公司本身不從事晶片製造，屬典型輕資本、高現金流的矽智財公司結構，隨著客戶量產規模擴大，權利金具備長期累加效果。

法人表示，隨著 SoC 成為主流架構，嵌入式 SIP 幾乎是所有電源、驅動、感測、MCU 與 IoT 晶片的「必備模組」，eNVM 屬於結構性需求而非景氣循環產品。億而得在多次寫入 eNVM 的「技術深度」、「生態系規模」與「高毛利商業模式」三者同時到位下，長期成長動能具高度可見性。