中國晶片「去美化」重大進展！半導體設備國產化提前破50％、7奈米驗證提速

根據中國工信部掌握的相關資料，中國半導體設備的國產化已比原定時程提前一年跨越官方設定的 50% 門檻。

根據《南華早報》報導，至 2025 年底，中國全國晶圓廠新增產線中，採用國產設備的金額占比已攀升至 55%，較原先 2024 年的政策目標高出約 5 個百分點。

其中，刻蝕、薄膜沉積與清洗等關鍵製程的設備國產化水準皆突破六成，而 7 奈米製程驗證線的推進速度亦較規畫快上一倍，為 14 奈米「全國產供應鏈」的實際落地奠定重要基礎。

工信部文件顯示，截至 2025 年 12 月，中國全國新建及擴建的 12 吋晶圓廠產線，設備招標總金額累計約 430 億元人民幣，其中國產設備金額達 236 億元，占整體比重約 55%。

若進一步觀察各類設備，刻蝕機的國產化率已提升至 65%，薄膜沉積設備與清洗設備分別達 61% 與 63%，離子注入設備也上升至 35%。

相較之下，量測與微影設備仍屬技術突破的關鍵難點，國產化率分別為 25% 與 18%，但相較 2022 年水準，已分別增加約 10 個與 6 個百分點。

在先進製程方面，中國國產設備的驗證進展超出市場預期。中芯國際 (688981-CN) 南方廠的 7 奈米試驗線原訂於 2026 年第二季完成工藝驗證，現已提前至 2025 年底通線，核心刻蝕、薄膜與清洗設備全面切換為國產型號。

該產線首批 256 Mb SRAM 良率突破 42%，較原計畫高出 8 個百分點。內部人士透露，中國國產 14 奈米等級的 High-k 金屬柵全套設備亦已通過可靠性考核，最快可於 2026 年第二季導入量產。

資本市場迅速反應。中微公司 (688012-CN) 、北方華創 (002371-CN) 、華海清科 (688120-CN) 、盛美上海 (688082-CN) 近日再掀漲停潮，設備指數單日上漲 12%，三日累計漲幅達 28%。

券商研究報告指出，依目前晶圓廠招標節奏推算，2026 年中國國產半導體設備市場規模有望突破 500 億人民幣，年複合成長率可望維持在 30% 左右。

在技術層面，中國國產龍頭廠商已於部分細分市場實現突破。中微公司的 CCP 刻蝕設備已進入 5 奈米循環驗證，關鍵尺寸均勻性小於 1 奈米。

而北方華創的原子層沉積（ALD）設備則成功取得長江存儲 400 層 3D NAND 訂單，單片鎢薄膜厚度誤差控制在 0.5 埃（Å）以內。

盛美上海的單片清洗設備也獲得華虹上海 12 吋 28 奈米產線的重複訂單，設備稼動時間超過 90%。

儘管整體進展顯著，微影與量測仍被視為中國半導體設備的最大短板。

上海微電子的 28 奈米 DUV 曝光機雖已完成工藝驗證，但在套刻精度與設備稼動時間上，與艾司摩爾 (ASML-US) 仍存在明顯差距；中科飛測 (688361-CN) 的量測設備目前仍停留在 14 奈米驗證階段。

根據工信部內部技術路線圖，2026 至 2027 年將集中資源攻克 High-NA 光學系統、電子束量測與深紫外雷射光源等「卡脖子」技術，目標在 2028 年實現 14 奈米等級 DUV 設備全面國產。

政策面方面，中國國家大基金二期已承諾未來三年向設備環節投入 800 億人民幣，重點扶持高階曝光機、量測與檢測設備，以及先進封裝設備三大關鍵缺口。

大基金管理層指出，設備環節約占整體產業鏈價值 25%，但長期高度依賴進口，「國產化率每提升 1 個百分點，就可釋放約 50 億元市場空間」。

美國智庫 CSIS 則評論認為，中國設備自給率提前越過 50% 門檻，顯示「美國封鎖正產生反作用」，但同時也指出，60% 之後的每一步都將更加艱難，尤其在 5 奈米及以下先進節點，仍高度依賴全球供應鏈協作。

整體來看，中國半導體設備產業已完成「從 0 到 1」的關鍵跨越，正進入「從 1 到 N」的放量階段。

短期內，中國國產設備在 28 奈米至 14 奈米成熟製程已具備實質替代能力；中長期能否突破 EUV、量測與材料協同等瓶頸，將決定「全國產供應鏈」能否真正打入高階市場。

分析人士提醒，投資人仍須密切關注核心技術突破節奏與政策落地情況，避免在中國「國產化」題材過熱後承擔過度修正的風險。