愛普*矽電容產品進入收割期 分離式矽電容下半年量產

愛普 *(6531-TW) 今 (3) 日召開法說會，公司表示，2026 年 IoTRAM 需求將持續強勁，矽電容 (S-SiCap) 的 IPC 與 IPD 專案將進入擴產期，在先進封裝與 3DIC 成長趨勢中受惠；VHM 與 VHMStack 專案則將持續研發投入，期能帶動下一波高速成長。

愛普 * 強調，公司將持續專注於高效能記憶體、先進封裝與 AI 加速領域的關鍵技術佈局，以完整的三大產品線優勢掌握 AI 時代帶來的結構性成長契機。

愛普 * 指出，IoTRAM 產品線在市場對穿戴式裝置、連網設備與顯示類應用的升級需求帶動下，於第四季維持穩健出貨。新一代 ApSRAM 於本季正式量產並獲多家客戶採用，具備數倍於前代的資料存取頻寬與更低功耗，特別契合 AI 功能快速導入穿戴裝置與微處理器的產業趨勢。

隨著市場對記憶體容量與長期供應穩定性的要求升高，公司預期 IoTRAM 將持續從 SDR/DDR 市場取得轉換需求，成為長期成長主力，並將在穿戴、顯示與輕量 AI 裝置推動更多採用。

愛普 * S-SiCap 於去年第四季表現亮眼，主要來自 IPC (具 S-SiCap 的矽中介層) 多個專案於 AI 與 HPC 客戶導入後進入量產。第二代 IPC 亦同步進入試產，其電容密度可再提升一倍，並已獲主要客戶納入設計流程。

此外，愛普 * 積極推動 IPD (分離式 S-SiCap 電容) 在 embedded substrate 與 Land-side Capacitor (LSC) 應用落地，預計於 2026 年下半年進入量產階段，以對應 AI/HPC 封裝面積日益成長、電源完整性要求大幅提升的市場趨勢。

愛普 * 認為，隨著 AI 加速器封裝面積與功耗不斷提升，S-SiCap 將成為未來兩年公司重要支柱。另一方面，S-SiCap 也正積極佈局新興的 IVR (Integrated Voltage Regulator) 領域．並與合作夥伴共同開發整合式高效供電方案，以提升先進運算的能效與穩定度。憑藉深厚的 S-SiCap 技術底蘊，愛普 * 在高階電源模組領域具備明確優勢，能在 AI 時代掌握具潛力的發展機會。

愛普 * VHM/VHMStack 產品線已從驗證走向實際 AI/HPC 專案開發，目標是協助 ASIC 加速器以更高效能、更低功耗切入大型語言模型推理市場，多項專案已進入產品開發階段，預計 2027 至 2028 年完成量產驗證，為愛普 * 長期成長奠定基礎。

針對市場關注的供應鏈調整，公司也特別說明，合作夥伴力積電銅鑼廠的產線調整，對愛普 * 整體營運的預期影響相當有限。公司已在第一時間與客戶協調，對應調整投產時程，並與力積電保持密切合作，加速製程轉移與相關驗證流程，以確保產品交期維持穩定。規劃皆在掌控之中，預期對後續出貨影響可望降至最低。

愛普 * 去年第四季營收 18.68 億元，年成長 52.45%，毛利率 49.86%，季增 3.85 個百分點，營益率 30.64%，季增 5.15 個百分點，稅後純益 7.66 億元，年增 52.37%，每股稅後純益 4.71 元。

愛普 * 去年全年營收 56.66 億元，年增 35.16%，毛利率 46.48%，年減 4.7 個百分點，營益率 24.69%，年減 0.87 個百分點，稅後純益 12.58 億元，年減 20.31%，每股稅後純益 7.74 元。愛普 * 日前董事會決議派發每股現金股利新台幣 7 元。