AI過去一年助漲記憶體近700%！SK海力士：記憶體上行周期持續時間料將比預期更久

摩根大通 (下稱小摩) 周日 (8 日) 發布研報指出，SK 海力士在小摩韓國大會上釋放了強烈信號，指當前記憶體產業正迎來比預期更長的上行周期，小摩亦維持對 SK 海力士的「增持」評等，目標價每股 125 萬韓元，較上周五 (6 日) 收盤價隱含約 35% 的上行空間。

SK 海力士管理層在會上系統闡述了推動上行周期延長的多重因素。首先，客製化記憶體解決方案正重塑市場格局，尤其是 HBM 的崛起，因其生產過程中存在「晶圓到晶片損耗」現象，消耗了更大比例的產能，加劇了供給緊張。

其次，AI 應用場景的擴展正將需求從高端 HBM 延伸至傳統 DRAM 和 NAND 快閃記憶體，進一步推升整體需求。

SK 海力士管理層明確表示，目前 DRAM 和 NAND 兩端均面臨嚴峻的供需缺口，供應商及通路客戶庫存均低於平均水位，出貨量與產量增長基本持平，預期價格上漲趨勢在可預見的未來將持續。

投資者對長期供貨協議 (LTA) 及周期持續性表現出高度關注。管理層將當前行業階段定性為「商業模式轉型期」，並將維持上行周期視為首要戰略任務。

在 LTA 框架方面，SK 海力士在會上強調更具約束力的雙邊多年期協議 (通常超過三年) 對於鎖定供貨量、價格區間及提升收入和現金流可見性至關重要。

小摩分析指出，SK 海力士正採取更為均衡的 LTA 策略，在 B2B 與 B2C 客戶結構之間尋求平衡，同時保持相對保守的定價策略。

在 HBM 業務方面，SK 海力士展現出強勁的領導地位，該公司也重申 HBM4 的量產爬坡時間表保持不變，小摩預計 SK 海力士比特出貨量將在今年第三季實現交叉。

SK 海力士對維持 HBM 業務領導地位充滿信心，主要靠的是與生態系統合作夥伴的深度協作，以及清晰的技術路線圖。

儘管 D5/LPD5 價格自去年末季以來大幅反彈，SK 海力士仍稱今年合約量幾乎不存在重新議價的可能性，目標是維持與去年相近的獲利水平。

資本開支與產能規劃方面，SK 海力士披露總額約 22 兆韓元的基礎設施投資計畫，核心是「工廠優先」策略。該公司位於龍仁的 1 號廠第一階段量產時間表已提前三個月，公司正專注於基礎設施建設和潔淨室設施，以確保產能擴張的靈活性。

SK 海力士龍仁廠的第 2 至第 6 階段則將在 2028 年至 2030 年間逐步投產。該公司管理層透露的龍仁廠設計產能，高於小摩此前預估的每月 27 萬至 35 萬片晶圓，實際規模恐因存儲樓設計及 1dnm 製程部署時間表而有所調整。

此外，SK 海力士也展現出更為積極的股東回報立場。在確立首要實現淨現金部位的目標後，該公司 1 月宣布一兆韓元的特別股息及庫存股註銷計畫，釋放了對本輪周期強度和長度充滿信心的積極信號。

SK 海力士管理層表示，相比以往周期，該公司現時的現金流可見度更清晰。

綜合來看，SK 海力士上述說法傳遞出一個明確訊息：在 AI 驅動的結構性需求增長、嚴峻的供需缺口以及更穩健的商業模式轉型共同作用下，記憶體行業的本輪上行周期不僅強勁，持續時間也可能遠超市場當前預期。