〈華邦電法說〉DRAM估缺到2028年後 再新增73億元資本支出

華邦電 (2344-TW) 今 (5) 日舉辦法說會，總經理陳沛銘表示，受惠 AI 需求持續擴大與記憶體供給結構轉變，第二季價格將持續顯著上漲，並預期 DDR4 與 LPDDR4 結構性供給缺口至少延續至 2028 年以後，有助漲價趨勢；CUBE 解決方案也獲眾多客戶導入，為因應需求，董事會今日也通過新增 73 億元的資本支出。

陳沛銘指出，隨著國際記憶體大廠將資本支出轉向 HBM、DDR5 與 3D NAND 等高階產品，傳統 DDR4 與 LPDDR4 已出現無人擴產的結構性缺口，預估供給吃緊情況將延續至 2028 年以後，且在 AI 伺服器與資料中心需求強勁帶動下，相關產品價格續揚，本季 DRAM 價格漲幅可望不低於第一季。

產業結構方面，陳沛銘進一步說，全球四大雲端服務供應商投入逾數千億美元建置 AI 資料中心，大量資金用於交換器與高容量記憶體，幾乎吃光記憶體的產能，導致非 AI 應用面臨缺貨與成本上升壓力，部分終端產品甚至因記憶體成本翻倍而被迫暫停出貨，顯示供需失衡程度加劇。

陳沛銘看好，這些非 AI 的需求並未消失，而是遞延，未來隨產能釋出，相關非 AI 需求仍可望回補。

從應用面來看，陳沛銘點出，車用市場已明顯回溫，多家國際車廠與 Tier 1 廠商重啟拉貨，工業與邊緣運算需求亦維持穩健成長，雖然 PC 市場短期面臨約 2 至 3 成的出貨修正，但在價格上揚支撐下，整體營收影響有限，且中長期仍具反彈潛力。

陳沛銘強調，華邦電在 NOR Flash 穩居全球龍頭，SLC NAND 則因 2D NAND 供應商退出市場而需求大增，客戶甚至調整設計改採 SLC 解決方案，預計未來一年 SLC NAND 位元出貨量將出現逾 8 成的爆發性成長，且其毛利率優於既有產品，有助進一步優化獲利結構。

產能與資本支出方面，華邦電維持積極擴產策略，儘管部分設備交期延後至 2027 年付款，但整體擴產進度不僅如期，甚至略有超前，下半年產能將進一步放大，其中 Flash 產能將由 2025 年月產 4 萬片提升至 2027 年 5 萬片，整體晶圓產能增加約 20%，在製程優化帶動下，位元產出可望成長逾 40% 至近 50%。

此外，公司董事會亦通過新增約 73 億元資本支出，其中逾 50 億元將投入 CUBE 先進封裝技術所需設備，預計相關大宗支出將發生在明年。