美光進駐首爾挖角HBM核心人才 開高薪直擊三星勞資內訌痛點 

韓媒報導，美國記憶體大廠美光 (MU-US) 近期開始招募核心高頻寬記憶體 (HBM) 設計人員，並開出在南韓首爾工作的條件，這使南韓業界感到擔憂，認為三星電子在陷入勞資衝突的情況下，恐難有效因應這類人才挖角行動。

美光也正積極擴大在南韓市場的能見度，最近正在篩選南韓在地專業公關代理商，替南韓子公司 Micron Semiconductor Korea 強化公關與媒體溝通。

BusinessKorea 本周二引述半導體業界內部消息報導，美光近期開始在南韓招募 HBM 設計人員，職缺類別為「資深 HBM 設計架構師」(Staff HBM Design Architect) 與「首席 HBM 設計架構師」(Principal HBM Design Architect)，工作地點就位在首爾。

美光開出的職缺主要負責下一代 HBM 產品的數位與類比 DRAM 電路設計及分析工作，不僅包含高速 DRAM 與混合訊號電路的功耗、面積與速度優化，也涵蓋 HBM 產品的架構方向審查與功能驗證。

美光在求才公告中表示，徵才的主要目標是「為人工智慧 (AI)、機器學習(ML) 以及高效能運算 (HPC) 開發下一代 HBM 解決方案」。

業界評估，美光開出的應徵條件，實際上瞄準的正是高階記憶體設計人才。資深級 (Staff) 要求電機電子工程等相關領域學士以上學位，並具備三年以上的半導體設計經驗，首席級 (Principal) 則要求學士學位者須具備七年以上、碩士學位者須具備五年以上的電路設計經驗。

美光說明，錄取者除了參與 HBM 電路設計，也將投入核心下一代 AI 記憶體技術的開發，例如基於矽穿孔 (TSV) 技術的 3D 堆疊結構、功耗優化以及高速介面開發。

美光這次招募的 HBM 設計架構師，屬於高階記憶體設計人員的核心職位。業界透露，若以美國標準估算，資深級的年薪大約落在 1 億韓元 (約折合 66670 美元) 至 1.5 億韓元之間，而首席級在計入績效薪酬後，年薪最高可達約 3 億韓元(約 20 萬美元)。在底薪之外，也另外提供績效獎金與股票酬勞。

業界普遍認為，從包括在首爾工作的招募條件來看，美光目的在爭取南韓本土的核心 HBM 人才。也有一派解讀，美光提供不需承擔遷往海外生活負擔、直接在南韓本土工作的條件，其實是一種策略性的誘因，目的是讓三星電子與 SK 海力士的現職員工能夠毫無顧慮地提出求職申請。

報導指出，三星電子近期因績效獎金制度與待遇問題爆發勞資衝突，等於替美光等全球記憶體半導體業者提供絕佳的切入機會。事實上不只美光，特斯拉 (TSLA-US) 今年也在首爾招募 Terafab 相關半導體製程工程師。

特斯拉執行長馬斯克今年 2 月曾在 X 平台上發布帶有太極旗圖標的貼文，文中指出「如果你身在南韓，且渴望投入半導體設計、製造與軟體領域，歡迎加入特斯拉」，當時曾引發市場高度關注。

半導體業界近年陸續傳出，在 SK 海力士搶下 HBM 市場主導權的過程中，已有部分三星電子記憶體部門的人員跳槽至 SK 海力士。三星電子全國員工工會也宣稱，近期的確有一部分記憶體技術人員轉職到 SK 海力士。另有報告顯示，轉戰美國科技巨頭或中國企業者不在少數。