韓媒：美光科技HBM4產能倍增 2027年量產轉由台積電代工的HBM4E

韓媒《THE ELEC》周一 (25 日) 報導，美光科技(MU-US)第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 產能爬坡進展順利，速度較去年 HBM3 12 層產品提升兩倍，良率同步改善。

美光全球營運副總裁 Manish Bhatia 在摩根大通會議上透露，HBM4 將用於輝達下一代 Rubin AI 運算平台，成為關鍵供應商。

美光表示，HBM4 效能與穩定性顯著提升，得益於 HBM3/HBM3E 的量產經驗，其核心 DRAM 採用成熟的 1β(10 奈米 5 代) 製程，搭配自研基底晶片。

在更先進的 HBM4E 世代，美光將進行戰略調整，核心 DRAM 升級至首次導入 EUV 的 1γ(10 奈米 6 代) 製程，基底晶片則不再自研，轉由台積電代工。美光打算在 2027 年量產，首批將推出 JEDEC 標準品，並同步開發客製化版本。

相較於美國競爭對手，三星電子預計今年第二季送出 HBM4E 樣品，基底仍維持自製，SK 海力士則打算 2026 年下半年送樣、2027 年量產，基底採用台積電 3 奈米製程。

美光同時設定目標，2026 年年中 1γ DRAM 與第 9 代 NAND 出貨量將佔總容量一半以上，使 1γ成為該公司最大單一 DRAM 製程。

業界人士分析，隨著 AI 算力需求激增，HBM 技術競賽進入白熱化，美光透過與台積電合作，有望在高效能與良率控制上縮小與韓系大廠差距，爭奪 AI 伺服器記憶體市場主導權。