AI記憶體超級循環來了 明年HBM合約價看漲數倍

AI 基礎設施需求持續升溫，帶動記憶體市場進入新一波漲價循環。TrendForce 指出，在 DRAM 供給吃緊及三星、SK 海力士、美光議價能力提升下，預估 2027 年 HBM 合約價格將大幅飆升數倍。

隨著 2026 年第二季接近尾聲，市場談判焦點已全面轉向 2027 年的 HBM4 供應協議，顯示出買方對於鎖定未來產能的迫切需求。

從市場獲利與產能配置的角度來看，傳統 DRAM 自 2025 年下半年起便呈現顯著的上漲趨勢。

值得注意的是，在 2026 年第一季，DDR5 64GB RDIMM 的晶圓收入一度超越 HBM，導致 HBM 的獲利能力短暫低於傳統高端 DRAM。

為因應此一市場動態，晶片供應商積極透過長期協定定價（LTA）機制，靈活調配 HBM 與傳統 DRAM 之間的生產比重。

這項調控機制不僅確保了作為 AI 運算核心的 HBM 能穩定供應，更同步帶動了包括伺服器用 RDIMM、LPDDR 以及邊緣設備專用 DRAM 等整體 AI 生態系統的廣泛需求。

需求端方面，推動 HBM 持續成長的關鍵動能將在今明兩年展現不同面貌。

2026 年的成長主要由人工智慧專用積體電路（AI ASIC）的規格升級所驅動，單顆晶片的 HBM 搭載容量將自過去的 96GB/192GB，顯著提升至 216GB/288GB。

同時，輝達 GPU 出貨量的持續攀升也扮演了關鍵角色。進入 2027 年後，隨著輝達新一代 Rubin Ultra 平台將單顆 GPU 的 HBM 容量進一步拉高至 384GB，加上 Google TPU 等 AI ASIC 平台的部署規模持續擴大，將為 HBM 市場注入更強勁的成長動能。

為了滿足龐大的 AI 需求，三大供應商正加速將產能向 HBM 傾斜。預估至 2027 年底，三大廠投入 HBM 的晶圓比重將從 2025 年底的 18% 大幅提升至 30%，其位元供應量佔整體 DRAM 的比例也將達到 13%。

隨著 HBM 產品世代交替、晶片尺寸擴大，對傳統 DRAM 產能的「擠出效應」將在明年進一步加劇。

這不僅限制了傳統記憶體的供給空間，也為供應商在明年的合約價談判中提供了極為有利的支撐，預期將進一步鞏固並增強供應商的定價主導權。