鉅亨網編譯陳韋廷
外媒最新報導指出,全球記憶體晶片巨頭 SK 海力士正籌劃一場史上規模最大的 DRAM 產能擴張,力圖在 AI 驅動的半導體新週期中搶佔先機。
根據《The Elec》等韓媒披露,SK 海力士已向核心供應商通報中長期規劃,擬在 2030 至 2031 年之間,將 DRAM 晶圓月投片產能從目前約 55 萬片提升至約 100 萬片,幾乎翻倍。
上述藍圖與 SK 集團會長崔泰源在上周於台北國際電腦展上的公開表態高度吻合,他當時宣稱將「全速在五年內將整體晶圓產能翻倍」。
此次擴產的戰略重心集中於南韓龍仁半導體集群。SK 海力士已將龍仁首座晶圓廠的首批設備安裝時間從原定的 2027 年 5 月提前至 2027 年 2 月,加速態勢明顯。
根據 SK 海力士規劃,龍仁廠將劃分六個潔淨室,以每約半年新增一間、每間貢獻月產 6 萬片的節奏推進,預計 2030 年上半年新增約每月 36 萬片產能。
目前 SK 海力士的 55 萬片月產能中,約 20 萬片來自中國無錫工廠,龍仁新增產能疊加清州 M15X 廠的擴產貢獻 (今年下半年投產,2027 年爬坡至每月 8 萬片),將支撐總產能在 2030 至 2031 年間逼近百萬片目標。
值得注意的是,所有新增產線目前均指定用於 DRAM 生產,NAND 快閃記憶體業務則聚焦提升堆疊層數等技術升級,不盲目擴充晶圓規模。
另據《iNews24》報導,南韓本土材料零組件企業,以及艾司摩爾、泛林研發 (Lam Research)、東京電子韓國等國際大廠已陸續遷入或籌備入駐。
不過,供應商對計劃落地仍持審慎態態。消息人士向《The Elec》透露,鑑於擴產規模與推進速度,短期內將帶來可觀訂單增量,但最終能否兌現目標,很大程度取決於 AI 資料中心等下游需求能否持續消化新增供給。
與此同時,三星電子正加快平澤 P4 廠的 DRAM 投資計劃,明年投資規模有望較預期每月增加約 1 萬片,業界還預計三星將從 2027 年次季起為 P5 產線下發採購訂單,相當於 2027 年每月新增 15 萬片產能。
韓系雙雄的同步提速,預示著全球 DRAM 供給側將在本十年末迎來顯著擴張。對投資者而言,這一趨勢在提振設備與材料供應鏈短期訂單前景的同時,也引發了對中長期供需平衡的關注。
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