3奈米下良率救星？美商應材推新型沉積與蝕刻設備 助力3D晶圓製程突破

美國應用材料公司週一 (15 日) 發佈兩款針對先進半導體製造的新系統，旨在解決高深寬比 3D 結構中精密加工的核心難題，進一步推動邏輯晶片與記憶體晶片的製程延伸。

在 AI 算力需求持續擴張的背景下，全球半導體業加速向全環繞柵極 (GAA) 晶體管及高層數 3D NAND 等架構演進。

應材此次推出的 Centris™ Spectral™ SiN ALD 與 Producer™ Selectra™ Mo Etch，分別面向介電薄膜沉積與金屬選擇性去除兩大工藝環節。

應財表示，上述系統已被重量級邏輯與記憶體晶片廠商用於先進製程量產。

新系統的推出直接回應了製造商在器件性能、製程穩定性與良率上面臨的瓶頸，對相關設備供應鏈具有重要的市場信號意義。

應材週一 (15 日) 在美股收漲 3.27% 至每股 585.78 美元，續創歷史新高，今年來累計上漲 128%。