記憶體股暴跌導火線曝！SK海力士傳放緩HBM4擴產、輝達Rubin生產預測下修

一篇南韓媒體的產業報導，在全球市場掀起連鎖效應，讓市場對高頻寬記憶體（HBM）供應前景的隱憂浮上檯面，成為引爆記憶體股大幅回檔的導火線。

韓媒於週二（23 日）報導指出，SK 海力士正放緩第六代高頻寬記憶體（HBM4）的量產擴張步調，並將資源重新挪移至一般型 DRAM 市場。根據《彭博》與《CNBC》引述消息，交易員將賣壓矛頭指向這篇韓媒報導。

由於記憶體股約占韓國綜合股價指數（KOSPI）權重 60%，韓股應聲重挫逾 10%，並觸發熔斷機制，恐慌情緒隨後迅速蔓延至全球市場。

報導引述一名熟悉 SK 海力士內部狀況的人士表示，由於輝達 (NVDA-US) 下一代晶片「Rubin」的生產預測持續下修，公司管理層已認為沒有必要加速推進 HBM4 產線轉換，衝擊市場對 HBM4 需求強勁的預期，引發對高階 AI 基礎建設需求前景的疑慮，並對輝達等相關供應鏈構成壓力。

從更宏觀的角度來看，這一動向也與輝達高階系統推進所面臨的困境相呼應。搭載 HBM4 的「Vera Rubin」機架，因記憶體價格大幅攀升而推高整體成本，使超大規模資料中心業者的利潤空間承受壓力。

當天美光科技 (MU-US) 股價重挫 13%，威騰電子 (WDC-US) 收跌 8.5%。

分析指出，韓媒報導的核心邏輯在於記憶體市場內部盈利結構出現變化。截至今年第一季，通用型 DRAM 與 HBM 之間的營業利潤率差距已擴大至逾 15 個百分點，通用 DRAM 反而占優勢。

大信證券預估，一般 DRAM 的營業利潤率今年理論峰值可達 90%。

在此背景下，SK 海力士管理層也不得不正視競爭對手三星電子已透過一般型 DRAM 獲取豐厚利潤的現實。據傳，SK 海力士也正延後將部分第五代 HBM（HBM3E）產線轉換為 HBM4 的計畫，轉而加強對一般型 DRAM 市場的供應能力。

SK 海力士在第一季財報中亦揭露，DRAM 平均售價已升至 60% 中段水準，並與微軟簽署一份為期三年的 DDR5 供應合約，外界普遍解讀為公司意在一般型 DRAM 領域鎖定長期獲利能見度。

值得關注的是，近期多家國際投資銀行的觀點，與 SK 海力士的策略調整方向大致形成呼應。

高盛指出，對 SK 海力士而言，只要在 2026 年前維持 HBM3 與 HBM3E 合計市占率仍穩居 50% 以上，即足以鞏固其在 HBM 領域的競爭地位。

另一方面，摩根士丹利則認為，市場評價 SK 海力士的關鍵，與其在 HBM 市占率的消長關係相對有限，真正核心仍在於整體記憶體價格循環的走勢。

該行並預期，DRAM 平均售價至 2026 年有望累計上漲約 62%，因此相應上調公司獲利預測約 56% 至 63%。

不過，HBM4 擴產節奏若放緩，也可能為競爭對手創造切入空間。

根據 Counterpoint Research 數據，SK 海力士去年第四季在 HBM 市場市占約為 57%。然而若三星於今年下半年順利推進 HBM4 量產，市場結構恐將重新洗牌，使 SK 海力士市占逐步回落至約 50% 至 60% 的區間。

SK 海力士此次放緩 HBM4 擴產計畫，究竟是主動管理定價節奏的策略性選擇，還是終端需求走軟的訊號，目前市場看法仍存分歧，但其所觸發的全球風險趨避情緒，已是不爭的事實。