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AI熱潮燒到2028年 三星飆漲逾10%領軍韓股反攻 美銀大幅上調半導體目標價

鉅亨網新聞中心

韓國股市周三 (24 日) 強勢上攻,記憶體晶片龍頭三星電子盤中一度大漲超過 10%,SK 海力士同步勁揚逾 5%,帶動韓國 KOSPI 指數一度上漲 4.02%。日本股市亦同步走穩,日經 225 指數上漲 0.14%。

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(圖:REUTERS/TPG)

市場分析指出,三星電子股價大漲主要受到市場傳聞激勵。韓國媒體報導指出,三星電子可能宣布高達 90 兆韓元的大規模股份回購計畫,激發投資人追價買盤。


值得注意的是,韓股強勢反攻的背景,正好發生在美國晶片股前一交易日全面重挫之後。美股費城半導體指數前夜大跌超過 7%,創下近期最大跌幅之一,成分股全數收黑。其中,美光科技 (MU-US) 暴跌超過 13%,安森美半導體 (ON-US) 重挫逾 11%,安謀控股 (ARM-US) 跌幅超過 10%,應用材料 (AMAT-US)、德州儀器(TXN-US)、高通(QCOM-US) 跌幅均超過 8%,恩智浦半導體 (NXPI-US) 跌幅超過 7%。

除了回購題材外,韓國記憶體產業近期亦傳出多項利多消息。根據《韓國經濟日報》報導,SK 海力士可能於 25 日向韓國金融監督院提交美國存託憑證 (ADR) 上市申請文件,監管機關最快可望於 7 月 3 日前完成審查,若進展順利,SK 海力士 ADR 最快 7 月便可在美國掛牌交易。

另一方面,三星電子在高頻寬記憶體 (HBM) 領域的進展也受到市場關注。根據韓聯社報導,三星電子 HBM4 產品上市量產後僅四個月,累計營收已突破 10 億美元,成為全球首家在 HBM4 量產後如此快速達成此規模的業者。市場預估至 6 月底前,相關營收可望進一步突破 12 億美元。

市調機構 TrendForce 指出,三星 HBM4 採用 4 奈米 FinFET 製程生產底層控制晶片,認證時程領先競爭對手,使其全年 HBM4 出貨量預估由 3,500 億 Gb 上調至 4,000 億 Gb。

相較之下,SK 海力士則選擇較為保守的擴產策略。TrendForce 指出,SK 海力士正放緩 HBM4 產能爬坡速度,並縮減部分原定由 HBM3E 轉換至 HBM4 的生產線計畫。公司認為,目前已在 HBM 市場占據領導地位,無須激進擴張下一代產品產能。

分析人士指出,SK 海力士此舉主要著眼於獲利率管理。根據韓媒 Chosun Biz 報導,HBM 產品目前已占 SK 海力士整體營收超過 40%,在市占與獲利均維持強勢下,持續大規模投資 HBM4 的邊際效益正在下降。

此外,傳統 DRAM 市場的獲利能力正快速改善。市場預估 DRAM 業務營業利益率有望在今年接近 90% 的理論高峰。SK 海力士第一季 DRAM 平均售價較前季大漲約 60%,公司未來將持續聚焦高密度伺服器模組及行動裝置市場需求。

市場亦關注 SK 海力士與微軟 (MSFT-US) 簽署的三年期 DDR5 供貨協議。業界普遍認為,該合作將進一步提升 SK 海力士在標準 DRAM 市場的長期獲利能見度。

TrendForce 預估,由於擴產步調放緩,SK 海力士 HBM4 大規模量產時程已延後至 2026 年第三季,全年 HBM4 出貨量預測亦由 4,500 億 Gb 下修至 4,000 億 Gb。

除了記憶體產業利多外,華爾街近期對整體半導體產業展望也愈發樂觀。美國銀行 (BAC-US) 最新研究報告指出,人工智慧相關資本支出的能見度已明確延伸至 2028 年,因此全面上調半導體產業預測與相關個股目標價,其中包括英特爾 (INTC-US)、美光科技(MU-US) 等主要晶片企業。

美銀同時大幅提高全球晶圓製造設備 (WFE) 市場預測,預估 2029 年市場規模將達 2,680 億美元,較先前預測增加 7%;2030 年則上看 2,920 億美元,較原先預測提高 9%。

美銀認為,未來設備需求成長主要來自三大因素。首先,全球晶圓廠陸續完工,無塵室供給增加,有助於解除設備安裝瓶頸;其次,記憶體廠與客戶簽署長期供應協議 (LTA),讓設備投資決策具備更高確定性;第三,先進製程持續推升每片晶圓所需設備投入強度,帶動設備需求進一步攀升。

報告並指出,英特爾 (INTC-US) 與三星電子在先進晶圓代工及邏輯晶片領域的進展,以及 Terafab 專案未來可能帶來的新增需求,都有助於支撐設備市場長期成長。

除美銀外,多家投資銀行近期亦同步上修半導體設備產業預測。摩根大通預估,全球 WFE 市場 2026 年成長率將由原先預估的 21% 上調至 28%,2027 年將進一步成長 29%,2028 年仍可維持 16% 的增幅。富國銀行亦調升 2027 年至 2028 年的設備市場展望。

在產業總體規模方面,美銀將全球半導體市場總潛在規模 (TAM) 預測由原先的 2.3 兆美元大幅調升至 2.7 兆美元,並預估 2025 年至 2030 年間,全球半導體產業複合年成長率 (CAGR) 可達 28%,反映 AI 基礎設施建設、先進記憶體需求及高效能運算市場的長期成長潛力。


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