HBM需求爆發！瑞銀：全球記憶體晶片6月銷售額746億美元創史高 供應缺口恐持續至2028年

瑞銀 (UBS) 近日發布《記憶體晶片月度報告》表示，全球記憶體晶片市場上月創史上最強單月表現，全球記憶體銷售額 746 億美元創歷史新高，月增 31.7%。

瑞銀研判，隨 AI 需求持續增長及長期供應協議 (LTA) 續增，記憶體週期「進一步趨強」，結構性供不應求至少延續至 2028 年中。

細分數據顯示，DRAM 佔記憶體市場大宗，6 月銷售額約 480 億美元，月增 27.7%，NAND Flash 表現更亮眼，月增 40.7％至 258 億美元創高，主要因為 AI 訓練與推論工作負載激增帶動資料中心 SSD 需求爆發。

瑞銀預估，今年記憶體產業總收入將達 9920 億美元，2027 年近乎翻倍至 1.76 兆美元。

推升成長核心動力來自 HBM，瑞銀預測今年 HBM 需求將年增 90% 至約 331 億 Gb，2027 年再增 77% 至 587 億 Gb。

瑞銀也已上修合約價估值，DDR 記憶體合約價今年第三季季增率 32%、第四季再漲 18%，NAND 價格第三季漲 30%、第四季漲 12%，DRAM 產業在 2028 年第二季前都將維持結構性短缺，2027 年需求年增 36.2%，遠超供給的 19.3% 年增率。

瑞銀點名漲價週期主要受惠者為美光、三星電子與 SK 海力士，三者合計主導全球 DRAM 與 NAND 供給。

但這家投行也提醒，超大規模雲端服務商的 AI 資本支出可持續性與客戶價格承受力，是此輪前所未見上行週期的主要下行風險，「需求端而非供給端，才是無法完全建模的變數」。