三星衝刺AI記憶體產能！將建產能10萬片DRAM新廠

據韓媒報導，三星電子正計畫在其位於京畿道龍仁市的器興工廠園區內，新建一座 DRAM 記憶體工廠。這塊土地原本規劃作為研發中心用地。對此業界解讀，此舉是為因應全球人工智慧（AI）基礎設施投資熱潮所帶動的記憶體需求急遽攀升。

業內人士週三（15 日）透露，三星正推動在器興工廠內興建新的記憶體半導體工廠，預估月產能約 10 萬片晶圓，規模相當於鄰近華城廠區的一座廠房，投資金額預計上看數兆韓元。

三星已成立內部專責組織籌劃建廠事宜，最快可望於第三季動工。為配置 DRAM 產線所需的周邊設施，三星甚至考慮拆除器興廠區內部分既有建物。

值得注意的是，新廠選址正是原名「SR5」大樓的舊址。SR5 是三星器興工廠的代表性研發中心，也是三星半導體事業的發源地，由三星創辦人李秉喆於 1987 年設立，李秉喆當年更以「無限探索」精神勉勵員工。

三星管理階層認為，SR5 既有設施已難以支撐 1 奈米級超精細製程與尖端記憶體的研發需求，遂於去年底至今年初將其拆除，原規劃在原址興建兩棟新研發大樓，作為類似華城廠區 DSR 塔的「研發控制塔」，以因應元件解決方案（DS）事業部門規模擴張、研發人力增加所衍生的空間需求。

然而，三星如今全盤翻轉此一規劃，轉而興建記憶體產線，主要受到全球 AI 基礎設施投資熱潮及記憶體供應短缺的驅動。

近來全球 IT 業者為建置大規模 AI 運算所需的資料中心，競爭日趨白熱化，作為關鍵零組件的記憶體需求隨之暴增。

由於 DRAM 廠商產能難以滿足高頻寬記憶體（HBM）持續攀升的需求，甚至排擠一般用於智慧型手機與個人電腦的通用型記憶體，導致市場供應吃緊。

市場研究機構 Counterpoint Research 預估，受惠於產品價格飆漲，今年全球 DRAM 市場營收將由 1,500 億美元，大幅躍升至 2,100 億美元。

分析人士認為，在此情勢下，三星面臨必須全力衝刺產能以滿足市場需求的壓力。

業內人士指出，三星僅今年上半年營業利益即超過 140 兆韓元，目前正積極尋找資本投資機會；分析認為，三星管理層目前的優先考量，是應對爆發性成長的市場需求，而非優先擴建研發中心。

除了器興廠新建 DRAM 工廠外，三星也持續以平澤廠區為核心擴充半導體產能。平澤 4 廠（P4）正興建一條新產線，月產能可望達 10 萬片第六代 HBM（HBM4）DRAM 晶圓。

此外，三星並規劃在龍仁市打造下一代半導體產業聚落，目標於 2029 年投入營運；同時，該公司也在全羅南道光州市的半導體產業園區內興建第二座最先進半導體工廠，投資金額高達 400 兆韓元。