AI需求帶來產能排擠 DRAM短缺將持續10年？

隨著人工智慧 (AI) 技術的爆發式成長，全球半導體市場正經歷一場前所未有的劇烈變革。根據最新的市場分析與產業領袖看法，動態隨機存取記憶體 (DRAM) 已成為科技領域中最受供應鏈限制的「大宗商品」之一。

市場普遍認為，這場由 AI 基礎設施建設驅動的記憶體短缺，短時間內難以緩解，甚至有專家預測短缺情況將持續長達十年之久。

市場對供應短缺持續時間看法不一

針對 DRAM 的市場前景，目前主要存在兩種時間尺度的看法。首先，威剛科技 (ADATA) 董事長陳立白提出了最為長期且激進的觀察，他認為 DRAM 的短缺將持續十年之久。他指出，業界嚴重低估了 AI 基礎設施未來的需求量，即便各大廠如三星、SK 海力士及美光積極擴產，2028 年至 2035 年投產的新晶圓廠仍可能無法滿足市場。

陳立白甚至認為，關於 AI 泡沫化的討論在 2030 年、甚至是 2040 年前都不應被嚴肅對待，因為 AI 正在深入擴展至各商業與政府應用領域。

相對而言，部分金融機構則抱持較為溫和但仍謹慎的態度。瑞銀 (UBS) 預計市場供需平衡最快要到 2028 年第二季才會出現。而 SK 海力士則預測，這場危機將在 2027 年達到頂峰，並可能延續至 2030 年。

HBM 排擠效應與產能限制引發供需失衡

市場分析指出，造成此次 DRAM 持續短缺的原因主要來自於需求結構的改變與供給端的瓶頸，特別是高頻寬記憶體 (HBM) 的「蠶食」效應。 AI 伺服器對 HBM 的需求呈現爆發式成長，導致晶圓產能被嚴重佔用。由於 HBM 的生產過程更為複雜且消耗更多晶圓產能，每投入一片晶圓生產 HBM，就意味著少生產一片傳統 DRAM。

TrendForce 預估，到 2027 年底，三大廠商用於 HBM 的晶圓投入將佔 DRAM 總產能的 30%，使得供給僅能滿足約 60% 的預期需求量。

另一方面，新產能擴張緩慢且廠商策略保守。新建一座記憶體晶圓廠從開工到達到生產巔峰通常需要 12 至 24 個月。儘管三星與 SK 海力士已承諾投入約 5,180 億美元興建新廠，但新設備的調試與良率優化仍需時間。

此外，廠商經歷過往的景氣循環後變得更為謹慎，不願過度擴張產能以免損害利潤率，這種「自律」行為也限制了供給的成長速度。

市場影響與未來展望

這場記憶體危機已直接反映在產品價格上。DDR5 記憶體套裝的價格已從約 100 美元飆升至 400 美元以上，甚至導致個人電腦 (PC) 與智慧型手機的售價可能面臨高達 8% 的漲幅。

展望未來，摩根士丹利預測，到 2030 年，記憶體將佔 AI 資本支出的 40%，顯示這並非短期現象。雖然業者正加速轉向 1c 製程以提升製造效率，但面對 AI 系統對記憶體容量日益龐大的渴求，DRAM 市場在未來幾年內仍將處於賣方市場，維持高價與高獲利的態勢。