長鑫科技IPO高盛緊急開會！看好中國DRAM擴產、半導體設備國產化成新主線

隨著中國記憶體大廠長鑫科技 (688825-CN) 正式登陸資本市場，高盛罕見在 IPO 前夕緊急召開中國記憶體專家會議。除了看好中國 DRAM 產能未來數年將大幅擴張，也認為中國設備國產化已成最具確定性的投資主軸；儘管 HBM 技術仍落後國際大廠，但 AI 需求持續強勁，預料將支撐記憶體價格與中國半導體供應鏈長期成長。

據悉，在長鑫科技掛牌前三天（24 日），高盛緊急召開一場聚焦中國記憶體產業的專家電話會議，邀請曾任長鑫存儲行銷業務高階主管、並在三星電子服務長達 18 年的資深業界人士，針對中國 DRAM 產能擴張節奏、產品技術進度與全球記憶體價格走勢三大面向進行深度剖析。

儘管長鑫目前尚無法量產人工智慧（AI）伺服器急需的高頻寬記憶體（HBM），但受惠於三星、SK 海力士 (SKHY-US) 等國際大廠將晶圓產能優先傾斜至毛利更高的 HBM 產品，反而帶動消費級與通用型 DRAM 價格飆漲，讓長鑫今年以來獲利豐厚。

根據高盛提供的數據，長鑫今年第一季全球 DRAM 營收市佔率已攀升至 8%，單季營收年增高達 719%。

市場預期，這次透過 IPO 募得的資金，長鑫除了持續擴大 DRAM 產能，也將進一步向 HBM 等先進技術領域邁進。

業界專家對中國本土 DRAM 供應商的擴產前景抱持樂觀看法，預估到 2030 年，中國記憶體龍頭廠商的年產能將較目前水準成長逾一倍。

目前長鑫產能布局已橫跨合肥、上海、北京三大生產基地，預計都將於 2028 年前全數投產；此外，一座規模更大的生產基地也將在 2028 年後開始貢獻產能，持續推升中國國產 DRAM 的整體供應量。

值得留意的是，這波新增產能除了持續採購國際一線設備商產品外，也正加速導入中國本土半導體設備。部分廠區除了曝光機仍仰賴進口外，其餘製程環節已大量改用中國國產設備，為本土設備供應商開啟前所未有的滲透機會。

因此，高盛也在會議中提出核心判斷指出，中國記憶體產能擴張的趨勢已不可逆轉，設備國產化替代將是確定性最高的投資主線。

換言之，無論長鑫等業者實際擴產進度快慢，北方華創 (002371-CN) 、中微公司 (688012-CN) 、盛美上海 (688082-CN) 等中國本土半導體設備供應商都將是直接受惠者，只要產能持續擴張，中國設備訂單與國產化比例便會同步提升，這項邏輯並不依附於單一客戶的成敗。

在產品技術層面，專家指出，中國本土 DRAM 龍頭廠商的製程持續更新，產品效能較去年已有明顯進步，但與三星、SK 海力士等國際一線大廠相比，讀寫速度等關鍵指標仍存在落差。

專家進一步透露三項技術時程觀察：

其一，量產 HBM3 與 HBM3E 是中國本土龍頭廠商設定在 2026 年達成的明確目標；

其二，由於極紫外光（EUV）微影設備受到出口管制，中國廠商須仰賴深紫外光（DUV）搭配其他創新製程路線來開發高階產品；

其三，3D DRAM 技術有望在 2027 年迎來新一輪研發突破，可望成為繞過 EUV 限制的可行方案。

至於價格走勢，專家分析，儘管良率仍相對偏低，但中國國產 DRAM 報價已逐步貼近國際一線廠商水準。

展望後市，第三、四季受智慧型手機品牌廠對成本上升的抵制影響，DRAM 漲幅預期將較上半年收斂；但中國與海外市場的 AI 需求依然強勁，可望支撐 2027 年記憶體價格續維持上漲格局。

此外，專家研判，全球一線記憶體廠商短期內不會將 HBM 產能轉回傳統 DRAM 生產，AI 需求強度將持續限制 HBM 供給彈性；同時，記憶體廠商與客戶間長約占比可望進一步提高，有助於價格中樞趨於穩定。

在市場機構眼中，長鑫存儲此次掛牌不僅是一樁單純的 IPO 案，更象徵中國半導體「自主可控」路線從概念倡議走向商業實踐的重要里程碑。

隨著中國本土記憶體與先進邏輯晶片供應商逐步滿足中國雲端服務商（CSP）在生成式 AI 領域的龐大需求，整條「中國供中國」半導體供應鏈，涵蓋晶圓代工、半導體設備、材料、零組件、智慧財產權及 IC 設計等環節，都可望因此受益。