AI晶片封裝大突破 日廠新光電氣做出「22層玻璃基板」

日本半導體封裝基板製造商新光電氣工業（Shinko Electric Industries）在玻璃基板技術取得重大突破，成功建構22層銅佈線結構，在玻璃基板兩面各堆疊11層銅佈線層，顯示玻璃基板朝高層數、高密度封裝再跨出關鍵一步。

玻璃基板長期被視為先進半導體封裝的重要發展方向，但實際應用一直受到「SeWaRe」問題限制，也就是玻璃內部可能出現裂縫或分層。

玻璃雖具有優異平整度與低熱膨脹係數，但材質本身較脆，在加工及熱循環過程中容易產生微裂紋，進而影響產品良率與可靠性。

新光電氣此次透過材料創新突破這項瓶頸，在玻璃基板邊緣使用高分子（聚合物）系列保護材料，藉此分散熱量施加時集中於特定部位的應力，即使經過熱負載後，仍能有效抑制SeWaRe發生。

除了改善玻璃裂縫與分層問題，新光電氣也同步推進玻璃通孔（TGV）製程，也就是製作貫穿玻璃基板的微細孔洞，以及絕緣層與銅佈線層的多層堆疊技術。

此次成功打造22層結構，意味玻璃基板已具備與目前高階有機基板同等級的佈線能力，同時在尺寸穩定性與抗翹曲方面具有優勢。

新光電氣成立於1946年，1959年以玻璃－金屬密封技術為基礎跨入半導體封裝領域，目前是英特爾、AMD等晶片大廠的重要供應商。

2023年，富士通將新光電氣出售給由日本政府支持的投資公司JIC、大日本印刷（DNP）及三井化學等組成的財團。

隨著AI晶片逐步朝多晶片整合發展，封裝尺寸持續放大，傳統有機基板的熱翹曲問題也更加突出，使玻璃基板憑藉高剛性、低熱變形等特性，逐漸成為大型AI晶片封裝的重要技術選項。

目前多家業者已加速投入玻璃基板領域。三星馬達透過與東友Fine-Chem成立合資公司「GlaSSEM」推進相關業務；英特爾也在2026年初宣布攻克「No SeWaRe」難題，台積電則已發布CoWoS玻璃基板開發計畫，顯示玻璃基板技術競爭持續升溫。

業界普遍將2026年視為玻璃基板商業化元年。根據機構測算，2026年全球封裝玻璃基板市場規模預估達186億美元。

新光電氣此次完成22層玻璃基板，不僅驗證高層數堆疊的技術可行性，也進一步推動玻璃基板由技術開發朝大規模量產邁進。