大摩預警成熟DRAM續漲：第三季DDR4再漲50% SLC NAND連兩季季漲50%

摩根士丹利(下稱大摩)週三(19日)最新報告示警，DDR4與SLC NAND等成熟記憶體晶片供給緊繃將延續至2026年下半年，價格漲勢不僅未歇，還將加速。

大摩預估，DDR4等成熟DRAM今年第三季將季增約50%、第四季再漲10%，SLC NAND漲勢更猛，第三、四季每季皆看漲50%，NOR Flash第四季起也受工控、車用、邊緣AI與AI伺服器需求托底。

漲價根源在產能「挪位」：三星、SK海力士、美光等將晶圓大幅轉向高毛利HBM、DDR5與企業級SSD，傳統DDR4、SLC NAND分額遭壓縮。

HBM更像是「產能黑洞」，主要受垂直堆疊與矽穿孔(TSV)限制，每產1份HBM約耗3份傳統DRAM晶圓。根據瑞銀(UBS)估算，2027年全球HBM需求達615億Gb，輝達單家吃掉251億Gb、佔逾40%，原廠只能繼續傾斜產線。

此外，連新世代DDR5也沒降溫。根據美銀數據顯示，24GB DDR5-5600/6400現貨價8月單月再漲8%，年漲幅飆至483%；該顆粒從2025年中約8美元衝高到本月逼近47美元。

業內人士認為，這波不是景氣循環式缺貨，而是AI算力重寫記憶體分配邏輯，高價HBM吸走產能，利基型成熟件反成稀缺標的，工業、網通、存量伺服器業者首當其衝，短期緩解無望，供需再平衡須待原廠回頭補成熟線或終端轉規格，今年底難見拐點。