美媒：中國長鑫存儲已開始試產HBM3E 可能數周內大規模量產

美國科技媒體《The Information》週一(8月31日)報導指出，長鑫存儲(CXMT)已經啟動HBM3E記憶體的風險試產工作。該記憶體廠商目前計畫擴大產能，預計到今年底DRAM產能將達到每月35萬片晶圓，未來幾年產能也將持續提高。

目前還不清楚長鑫存儲HBM3E的具體規格，但根據JEDEC規範，HBM3E應採用1024-bit位元寬，單腳速率介於9.2Gbps至 12.4Gbps之間，大多數標準配置的目標速率為9.6Gbps。在9.6Gbps的典型配置下，HBM3E總頻寬可達1.2TB/s，

在採用 8 層堆疊、單層24Gb DRAM晶片的情況下，HBM3E單一堆疊容量為 24GB，採用12層堆疊時容量可達36GB。

考量到長鑫存儲先前已具備從風險試產快速過渡到大規模量產的能力，因此其HBM3E有可能在數週內進入大規模量產階段。

此外，長鑫存儲在晶圓廠無塵室建造速度方面擁有明顯優勢，建造一座晶圓廠無塵室僅需時12個月，其他廠商通常需​​要兩年。