三星、台積電、英特爾齊點頭：艾司摩爾High NA EUV拿下頂級訂單承諾

三星電子周二(8日)宣布，已加入由荷蘭半導體設備商艾司摩爾(ASML)牽頭的聯盟，共同開發下一代半導體製造技術，重點推動12吋光罩技術，取代沿用數十年的6吋格式。

三星表示，雙方將基於多年合作基礎攜手推進先進技術研發，滿足先進製程對性能與效率的要求。執行長全永鉉指出，AI時代正重塑半導體產業，深化與艾司摩爾是為下一代AI創新奠定基礎。

此外，三星打算在2028年前首次將艾司摩爾高數值孔徑(High NA)極紫外(EUV)光刻技術用於DRAM量產。該技術可通過更高解析度推動製程微縮，實現製程簡化與效率提升。

除三星外，台積電也將加入英特爾行列，分別不晚於2028年、自2030年起以High NA EUV設備量產，每台單價達4億美元。三星為記憶體龍頭，台積電則是輝達、蘋果的代工主力。

三星、台積電、英特爾跟艾司摩爾也就光罩規格轉變達成一致，將6吋標準改為12吋以提效降本。光罩類似反覆印刷同一圖像的雕刻木版，只不過以光在矽晶圓上「印刷」。

專家指出，採用更大光罩長期被視為複雜昂貴，此次協調行動則有望讓晶片製造顯著受益。

艾司摩爾技術長Marco Pieters表示，新技術可讓High NA設備產出提升40%並簡化設計流程，「這是巨大機遇」。

目前，全球僅艾司摩爾能生產EUV設備，是製造最先進AI晶片的必需品。該公司自2019年推出低數值孔徑系統後，便持續與客戶研究高數值孔徑設備。