碾壓全球對手總和！英特爾High-NA EUV晶圓破百萬片 先進製程邁入量產驗證

英特爾晶圓代工部門最新宣布，採用高數值孔徑極紫外光刻(High-NA EUV)技術處理的晶圓累計量突破100萬片，涵蓋設備認證、測試研發及部分產品層量產，標誌著該技術正從實驗室驗證邁向實際產線。

英特爾披露，處理總量已超過全球其他採用該技術的晶片製造商之和，鞏固了在新型光刻賽道的先發優勢。

High-NA EUV為傳統EUV進階版，物鏡數值孔徑由0.33升至0.55，可實現更精細圖形刻畫，並簡化多重曝光工藝，帶來更高晶體管密度與更低製造複雜度，但成本與工藝控制要求亦顯著提高。

目前，英特爾已在奧勒岡州部署至少三台該設備，用於部分18A製程生產，採用該技術製造的Panther Lake處理器部分層，在套刻精度、吞吐量與設備可用率上均達預期。

英特爾並未將18A全數切換至新設備，而是選關鍵層試產，同時在傳統0.33數值孔徑設備上完成相同層次加工以作對比。結果顯示，High-NA EUV生產的18A層性能已持平，甚至優於傳統平台。

英特爾強調，客戶仍可透過現有6吋光罩使用該技術，並借助拼接技術與工藝設計套件(PDK)滿足更大面積需求，希望藉此為客戶提供更成熟可靠的先進製程選項。