長鑫Q2利潤率反超三星、SK海力士 但HBM3良率25%慘遭韓媒嘲諷

中國DRAM大廠長鑫科技今年第二季繳出亮眼成績單，息稅前利潤率攀升至82%，一舉超越SK海力士的76%、三星電子半導體業務的70%，以及美光科技等主要同業，登上該季全球獲利率最高的記憶體晶片企業寶座。

不僅如此，長鑫科技今年Q2營收年增率約1000%，在長鑫、三星、SK海力士、美光、鎧俠與閃迪六家企業中增速稱冠。相關數據來自QUICK FactSet與企業揭露。

然而，在獲利領跑的同時，長鑫的先進製程推進卻面臨考驗。韓媒報導指出，這家中國最大DRAM廠已啟動第四代高頻寬記憶體HBM3試產，初期良率卻遲遲無法突破，僅停留在25%水準，相當於四顆中有三顆是廢品，遠低於半導體業公認80%的量產黃金線。相較之下，SK海力士自2022年量產同類HBM3產品，良率已超過90%，雙方差距懸殊。

報導將問題根源指向TSV矽通孔技術，直言長鑫用於HBM的G4製程所生產的一般DRAM本身並無大礙，真正的瓶頸在於TSV。該技術須在DRAM晶片堆疊時，於每一層鑽出數千個微米級小孔並填入銅，以實現垂直電氣連接，孔洞一旦偏移或填充不完整，整層晶片即告報廢。

業界數據顯示，長鑫每顆晶片TSV數量約3000個，而三星HBM2超過5000個、SK海力士HBM3則逾8000個，韓媒據此強調韓廠在TSV工藝上的領先地位。

業內人士也表示，TSV的工藝訣竅非一朝一夕可累積，三星與SK海力士已握有4至5年的優勢。

但韓媒亦坦言，長鑫正將少量HBM樣品供應給寒武紀等中國企業，在持續改善良率之際穩步推進商業化進程。