不再一條龍！三星客製化HBM擬採雙軌並行：自廠或台積電製造基礎裸片任客戶挑

最新消息傳出，三星在客製化HBM將採雙軌策略，依客戶需求提供自廠或台積電基礎裸片(Base Die)，若選台積電，由記憶體業務負責設計，已有客戶採「台積電Base Bie＋三星DRAM」方案，顯示其不再堅持一體化供貨，改以提高供應鏈彈性接單。

高頻寬記憶體(HBM)架構正出現關鍵轉折，過往基礎裸片(Base Die)多用DRAM製程，自HBM4起逐步改由邏輯代工生產，以解決AI高速運算下的散熱、訊號延遲與能效問題，客製化HBM更可把記憶體控制器等功能下移到底層，使得「記憶體堆疊」更接近運算系統。

三星HBM4以自家代工生產基礎裸片，SK海力士、美光則與台積電合作，業界估邏輯base die成本高於傳統DRAM方案，三星因自有代工在內部生產與產能調配具潛在彈性，通用HBM4量產已佔先機。

另有傳聞指出，SK海力士自HBM4E起評估把部分基礎裸片交英特爾代工，降低對台積電單一依賴、兼顧成本與供應穩定，但SK海力士對相關技術細節僅回應「難以確認」、部分報導不實。

分析人士指出，隨著AI加速器客制化程度升高，base die已成HBM新戰場，擁代工、擁多供應商與能整合控制器者，將在主權、雲端客戶爭單中更具談判空間。