HBM需求成三星救星！晶圓代工虧損估減41.8%、8奈米以下製程拚滿載

三星電子(005930KS) 晶圓代工事業虧損有望明顯收斂。市場原先認為，DRAM價格上漲與2奈米晶圓訂單增加，將有助三星改善晶圓代工業務表現，但最新分析指出，隨著高頻寬記憶體（HBM）需求快速成長，HBM已成為三星縮減年度虧損的重要支柱。

《Wccftech》引述《Digital Daily》報導指出，Kiwoom Securities最新分析預估，三星非記憶體事業的年度營業虧損將從2025年的6.74兆韓元（約51億美元），降至2026年的3.92兆韓元（約29.5億美元），年減約41.8%。

分析認為，虧損大幅縮減與製程技術逐步穩定有關，而HBM4製造架構的轉變，也成為其中一項關鍵因素。

與前幾代產品不同，HBM4高度依賴客製化邏輯製程，用於製造堆疊記憶體底部的基礎裸晶（base die）。

三星採取整合元件製造商（IDM）模式，因此能自行利用旗下4奈米製程生產這些關鍵基礎裸晶。

隨著AI熱潮推升HBM4需求，三星的HBM產量快速增加，每一顆由三星自行生產的基礎裸晶，也能進一步提高其晶圓代工產線的稼動率。

HBM產量增加已減輕晶圓代工業務的營運負擔，並推升8奈米及以下先進製程的稼動率至滿載水準。

分析預估，三星晶圓代工事業單季營業虧損，將從過去初期階段超過2兆韓元（約14.7億美元），逐步收斂至7770億韓元（約5.72億美元）。

從目前情況來看，HBM對三星改善晶圓代工獲利能力的重要性已經提升。雖然DRAM與2奈米晶圓訂單預期將成為三星長期成長動能，但就目前而言，HBM已成為支撐三星財務表現改善的重要業務。

此外，三星能夠在同一體系內提供記憶體、晶圓代工與先進封裝整合式服務，也有助於爭取外部合作。市場分析指出，這種「Turnkey」整合方案已讓三星取得包括數十億美元規模客製化AI加速器供應協議在內的重要合作機會。