破天荒！韓媒：三星將採台積電3奈米製程 為輝達生產下一代HBM基底裸片

外媒最新報導指出，南韓三星電子將打破長達數年的「一站式全包」生產模式，採用台積電的3奈米製程，為輝達下一代HBM製造基底裸片(base die)。

韓媒《首爾經濟日報》今(18)日引述消息人士報導，輝達已向三星、SK海力士及美光三家供應商提出統一要求，基底裸片必須使用台積電3奈米工製成，核心裸片則統一採用第六代DRAM工藝(1c)，這一要求源於各供應商製造方案差異導致性能不穩，標準化可大幅減輕輝達的驗證工作量。

報道指出，三星設備解決方案事業部經內部評估後，決定接受輝達要求。三星此次調整僅針對輝達客製化的HBM4E產品。對於標準版HBM及面向超微等其他客戶的產品，三星仍將保留全包生產策略。

目前，三星已全球率先量產第六代HBM4，第七代HBM4E正進行量產驗證，兩款產品的基底裸片均採用三星自研4奈米製程。

值得注意的是，三星並未完全放棄自主生產能力。一位業內人士透露，三星正同步驗證能否在自有產線製造輝達HBM基底裸片，作為防範台積電產能不足的備案，此舉顯示在AI晶片競爭白熱化下，三星正以靈活策略平衡技術自主與客戶需求。