Solidigm擬投450億美元蓋美國記憶體廠 前提是放行設備運往中國

南韓記憶體大廠 SK海力士(000660KS) 旗下美國子公司 Solidigm，正與美國商務部洽談在美投資 450 億美元興建晶片廠。

消息人士指出，Solidigm 在決定是否推動這項計畫前，希望先取得美國政府許可，將設備運往中國，升級當地既有工廠。新廠若落實，將成為美國境內首座新建的大型快閃記憶體生產設施。

據悉，Solidigm 已向美方官員說明，升級中國大連廠有助於挹注資金，加快美國新廠的開發進度。

這項提案凸顯美國政府重振關鍵電子零組件本土製造的複雜性。基於國家安全考量，華府歷屆政府均將此列為優先要務，但同樣的安全疑慮，也促使美國日益收緊對中國的晶片技術出口限制，試圖抑制中國自主生產半導體的能力。

消息人士表示，Solidigm 計劃升級中國廠的製程技術，未來可將相關技術移轉至美國新廠。不過，公司必須先取得美國政府許可，才能將新的晶片製造設備運往大連，藉此改善製程並提高當地營運收益。

大連廠主要生產 NAND 快閃記憶體，這類晶片用於儲存資料，應用範圍涵蓋智慧型手機至資料中心。

SK 海力士上周因監管機關與股東強烈反對，取消 Solidigm 可能籌資 100 億美元的首次公開發行（IPO）計畫後，這項赴美投資案仍持續討論中。

消息人士透露，Solidigm 已向商務部表示，大連廠營收的增加將直接有助於支付美國工廠的建設費用。該公司亦向商務部指出，隨著時間推移，美國廠的總投資額可能接近 1,000 億美元。

同時，該公司已考慮包括紐約州在內的多個地點作為新廠址，工程最快可能於明年動工。

Solidigm 發言人拒絕對與美國政府的談判發表評論，但證實該公司正考慮興建新廠。

該公司在聲明中表示：「作為一家在美國成立且總部位於美國的公司，Solidigm 定期評估各項策略方案，以最有效率的方式服務客戶並提升長期競爭力。公司目前正評估在全球潛在地點興建 NAND 快閃記憶體晶圓廠的選項，目前尚未就任何具體行動方案做出決定。」

SK 海力士透過發言人表示：「Solidigm 正評估多項方案以強化業務競爭力，但目前尚未確定任何具體計畫。」

此前路透社亦曾報導，Solidigm 將在美投資的前提設定為能否運送更多設備至其中國廠房。

全球絕大多數快閃記憶體晶片都在亞洲生產，不過，根據美光(MU-US) 官網資料，其位於維吉尼亞州馬納薩斯的既有工廠也生產這類半導體。

美國商務部長盧特尼克已呼籲 Solidigm 母公司 SK 海力士及其競爭對手三星電子(005930KS) ，擴大在美國的記憶體晶片生產。

美國已廣泛限制向中國銷售晶片及相關製造設備，但對三星、SK 海力士及台積電在中國營運的工廠給予例外待遇。

川普政府去年釋出訊號，表明有意進一步收緊而非放寬這些豁免，並終止拜登任內達成、允許企業視需求向中國運送部分設備的協議。