長江存儲新廠拚七成設備國產化鎖定300層以上NAND搶攻AI儲存

2026年11月06日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 中國記憶體大廠長江存儲YMTC規劃在武漢興建第四座晶圓廠，目標將國產設備占比提高至至少六成，並力拚七成。新廠預計生產300層以上的NAND快閃記憶體，鎖定資料中心與AI儲存需求，顯示中國記憶體擴產的同時，也持續擴大採用本土半導體設備。

市場傳出，第四座廠預計2027年動工，目前僅與供應商初步討論，尚未正式下單。相較之下，預計今年稍晚營運的第三座廠，設備採購來自中國供應商的比重目前略高於一半。

NAND堆疊層數提高，有助於在相同晶片面積內容納更多資料。長江存儲新廠規劃的300層以上產品，將瞄準資料中心及AI應用。三星位於西安的工廠正轉向286層產品，SK海力士大連廠則從192層升級至240層以上。

根據Omdia數據，長江存儲在中國NAND市場的市占率，由2025年的28%升至2026年第二季的38.5%，超越三星成為當地最大供應商。

設備供應方面，知情人士指出，北方華創(002371-CN)與中微公司(688012-CN)可能受惠，新增國產設備主要集中在清洗、拋光及蝕刻環節。中國設備已在長江存儲產線使用，其中清洗與拋光設備多數由中國業者供應；不過，曝光、檢測及其他先進製程設備仍仰賴海外供應商。

美國於2022年12月將長江存儲列入實體清單。長江存儲計畫在武漢再增建兩座廠，屆時總數將達五座；第三至第五座廠滿載後，各廠月產能規劃約10萬片晶圓，可使公司總產能增加逾一倍。

※ 本文經「優分析」授權轉載，原文出處:原文連結
※ 免責聲明：文中所提的個股、基金、期貨商品內容僅供參考，並非投資建議，投資人應獨立判斷，審慎評估風險。