愛普(6531) 矽電容新增深溝槽路線，與聯電完成投片驗證，量產尚未定案

2026年11月11日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 愛普(6531-TW)的矽電容除了既有的堆疊式架構，也正與聯電(2303)推進另一條深溝槽路線。公司在法說會上確認，與聯電合作的技術是深溝槽（deep trench），投片與初步驗證已經完成，幾個客戶正在導入，量產時程尚未確定。

矽電容的製作方式分為兩大類：愛普既有的是堆疊式，將電容結構逐層堆疊；深溝槽則是在矽晶圓上挖出深溝，利用溝壁表面積製作電容。公司表示，兩條路線採用何者，取決於客戶的設計需求，愛普在此領域主要的應用場景是 AI 伺服器與手機的主晶片。

兩條路線並行

多一條路線對應的是不同的客戶需求，愛普與聯電 2026 年 10 月 22 日共同宣布合作，結合聯電的深溝槽製程與愛普的矽電容設計；這條路線的產品是 S-SiCap Gen2D 分離式矽電容，也就是採用深溝槽的 IPD，已完成投片與初步功能驗證，下一階段是封裝基板電容的系統級效能與可靠度測試。

合作範圍仍在擴大，雙方正討論將這條路線延伸至矽中介層的嵌入式電容與基板底面電容，對應不同系統設計對電容量與工作電壓的要求。

聯電產能還在談

法說會上分析師問到，聯電規劃中的第 7 期電容月產能 2.2 萬片會不會全數供應愛普；公司表示產能是依需求成長來規劃，對聯電產能的需求還在規劃與協商當中，將於有進展時報告。

量產時間也尚未確定，公司表示與聯電合作的這條深溝槽 IPD 有幾個客戶正在導入，量產時程目前仍不確定。

公司認為，較早投入是其優勢來源。矽電容的重點在滿足各種客製化需求，愛普長期與客戶一起定義技術藍圖，已累積較深厚的客戶關係與產業經驗。

堆疊式的進度則領先許多，IPC 與 IPD 都已量產，IPD 第 3 季營收比第 2 季多出 3 倍多，公司估計 2027 年會有數倍成長。

如下圖，根據優分析產業資料庫，法人平均預估的全公司營收 2026 年約 113 億元、2027 年約 190 億元，2028 年再往上，最近一次預估日期是 2026 年 8 月 7 日，早於這場法說會。

（資料來源：優分析產業資料庫）

深溝槽這條線已完成投片與初步驗證、幾個客戶正在導入，量產時間與聯電第 7 期 2.2 萬片月產能的分配均尚未定案；既有的堆疊式已經在出貨，兩條路線各自對應不同的客戶設計。

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