衝刺3D Flash！東芝尬三星、海砸3600億追加蓋新廠

MoneyDJ新聞 2016-03-17 14:02:31 記者 蔡承啟 報導

南韓三星電子(Samsung)領先全球同業、於2014年10月搶先量產3D架構的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)產品，不過三星競爭對手東芝(Toshiba)也拚了，除3D Flash專用廠房將在2016年Q1(1-3月)開始進行生產之外，東芝最新宣布，將海砸3,600億日圓追加興建3D Flash新廠房。

東芝17日發布新聞稿宣布，旗下NAND Flash生產據點「四日市工廠」廠區內正在興建一座3D Flash專用廠房「新第2廠房」，不過為了今後NAND Flash需求將進一步擴大，故於17日舉行的董事會上已正式決議，將在2016年度(2016年4月起的會計年度)起的3年內、砸下3,600億日圓追加興建一座3D Flash專用廠房。

東芝指出，上述追加興建的3D Flash新廠房的興建時間、產能規模等細節將視市場動向於2016年度內決定。

東芝並指出，四日市工廠為東芝和美國SanDisk共同營運的生產據點，而東芝之後也將和SanDisk就共同投資一事進行協商。也就是說上述3年3,600億日圓投資資金將由東芝單獨負擔。

日本媒體日刊工業新聞曾於1月8日報導，東芝計畫攜手SanDisk在日本三重縣四日市市興建一座NAND Flash新工廠，最快將在2017年度啟用量產，目標為藉此將採用3D架構的NAND Flash產能提高至現行2倍水準。

東芝於2015年10月21日宣布，於2014年9月動工進行改建的「四日市工廠」第2廠房(即上述新第2廠房)部分工程已完工，將在2015年度第4季(2016年1-3月)開始進行生產。該新第2廠房所有改建工程預計將在2016年上半年內完工，而其具體產能、生產計劃等細節將待評估市場動向後再行決定。

東芝和SanDisk去年8月3日宣布開發出48層的3D NAND Flash。BGR報導，東芝和SanDisk採用15奈米製程，打造出新3D NAND Flash，據稱速度為業界之冠，並更具能源效益。儘管東芝新聞稿未提及可能客戶，BGR稱，假定蘋果(Apple)沿用舊有供應商，這麼一來新的3D NAND Flash或許將用於iPhone 7。

根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至台北時間17日13點20分為止，東芝狂崩8.17%。

東芝股價狂崩，主要是因為Thomson Reuters報導稱，美國當局正對東芝展開調查，懷疑東芝核電事業子公司Westinghouse Electric涉嫌隱瞞13億美元虧損。

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