MRAM

01-17台股新聞

工研院今 (17) 日宣布，攜手台積電 (2330-TW)(TSM-US) 開發自旋軌道轉矩磁性記憶體 (Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM) 陣列晶片，搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，且功耗僅為 STT-MRAM 的百分之一，可應用在高效能運算 (HPC)、AI 及車用晶片等。