記憶體晶片

10-14美股雷達

全球記憶體晶片需求前景持續黯淡，根據研調機構 Trendforce 最新報告，DRAM 和 NAND 快閃記憶體上月價格雙雙下跌，該機構更預測今年第四季價格會上漲的只有高頻寬記憶體 (HBM)，一般 DRAM 的價格料將停滯不前。報告指出，今年第四季通用 DRAM 價格料將最多季增 5%，甚至可能零成長，因經濟衰退導致消費者需求放緩，加上中國記憶體製造商供應增加，但包括 HBM 在內的所有 DRAM 平均價格，料將季增 8% 至 13%。

09-17美股雷達

美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 週一暴跌，兩年來首次出現「死亡交叉」，預示著虧損可能開始加速。美光股價週一走弱之際，摩根士丹利 (Morgan Stanley) 分析師對美光和記憶體晶片市場的前景做出了悲觀評估，他們認為未來幾季盈利增長預期將觸頂並出現逆轉，這可能導致該產業估值縮水近 30%。

09-16科技

南韓科學技術資訊通信部上週五 (13 日) 公佈數據指出，該國上月晶片出口額年增 37.6% 至 119 億美元，連 10 月實現兩位數成長，記憶體晶片出口額更大幅年增 71.7%，專家認為在 AI 算力需求的刺激下，被視為半導體產業風向球的記憶體市場有望進一步實現高速成長。

08-07美股雷達

《路透社》週三引述消息人士報導，三星電子第五代 HBM3E 記憶體晶片的 8 層版本已經通過輝達 (NVDA-US) 的測試。三星電子一直致力於追趕南韓競爭對手 SK 海力士，希望提供能夠處理生成式人工智慧 (AI) 工作的先進記憶體晶片。消息人士稱，三星電子和輝達尚未就 8 層 HBM3E 記憶體晶片簽署供應協議，但很快就會簽署，預計第四季開始供應。

07-31歐亞股

南韓三星電子在公布 2024 年第二季財報的電話會議上表示，「第五代 8 層 HBM3E 產品正如常接受客戶評估，公司計畫於今年第三季實現量產。」三星表示，公司已經完成了半導體產業首次開發的 12 層 HBM3E 晶片的量產準備，未來將根據多個客戶的需求時間表，在今年下半年擴大供應。

04-11美股雷達

記憶體晶片製造商美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 周四 (11 日) 表示，4 月 3 日發生在台灣的地震將使其動態隨機存取記憶體 (DRAM) 供應量損失高達中個位數百分比。該公司在台灣設有四個辦事處。台灣在全球晶片供應鏈中占有重要地位，地震引發了人們對潛在中斷的擔憂。