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新科技





    2024-01-05
  • 科技

    石墨烯半導體問世 科學家稱表現出10倍於矽的性能

    據陸媒科技日報及天津大學官網消息,天津大學奈米中心馬雷教授團隊近日在保證石墨烯優良特性的前提下,成功在石墨烯中引入帶隙(band gap),研究成果論文《碳化矽上生長的超高遷移率半導體外延石墨烯》已在 1 月 3 日在線發表於國際期刊《自然》。