直立

07-12

HBM迎重大突破？日韓同步提出「直立式DRAM」新架構

在日前登場的 2026 年 IEEE/JSAP VLSI 技術與電路研討會上，來自南韓與日本的研究團隊不約而同發表了兩套全新的高頻寬記憶體（HBM）架構構想，雖出自不同單位、命名各異，核心思路卻高度雷同，將原本平躺堆疊的 DRAM 晶片改為「直立擺放」，藉此換取更充裕的散熱空間，同時緩解 AI 晶片日益吃緊的記憶體頻寬瓶頸。