鉬

08-23美股雷達

SemiAnalysis：NAND製造正「由鎢轉鉬」！「這些企業」有望受惠

3D NAND快閃記憶體持續向更高堆疊層數邁進，製程材料也迎來關鍵轉變。半導體產業研究機構SemiAnalysis 週日（23日）在X平台發布文章指出，當3D NAND堆疊層數突破約300層後，傳統以鎢（Tungsten，W）製作的字線（word line）逐漸面臨物理與製程限制，鉬（Molybdenum，Mo）可能成為高層數NAND不可避免的材料選擇。

06-11歐亞股

今年內量產！SK海力士V10 NAND採375層堆疊設計 「鉬取代鎢」有望助力性能提升

全球 NAND Flash 技術競賽再掀新高潮，外電最新報導指出，SK 海力士已完成下一代 V10 系列 375 層 3D NAND 閃存生產驗證，正推進產線轉換，目標 2026 年透過現有工廠升級實現大規模量產，挑戰三星電子在超高堆疊技術的領先地位。