HBM3E
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三星8層HBM3E晶片傳通過輝達測試 Q4開始供貨
《路透社》週三引述消息人士報導，三星電子第五代 HBM3E 記憶體晶片的 8 層版本已經通過輝達 (NVDA-US) 的測試。三星電子一直致力於追趕南韓競爭對手 SK 海力士，希望提供能夠處理生成式人工智慧 (AI) 工作的先進記憶體晶片。消息人士稱，三星電子和輝達尚未就 8 層 HBM3E 記憶體晶片簽署供應協議，但很快就會簽署，預計第四季開始供應。
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三星：計畫今年第三季量產8層HBM3E
南韓三星電子在公布 2024 年第二季財報的電話會議上表示，「第五代 8 層 HBM3E 產品正如常接受客戶評估，公司計畫於今年第三季實現量產。」三星表示，公司已經完成了半導體產業首次開發的 12 層 HBM3E 晶片的量產準備，未來將根據多個客戶的需求時間表，在今年下半年擴大供應。
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AI相關晶片投資增加 美光上調今年資本支出預測
美國記憶體晶片大廠美光周二 (21 日) 小幅上調 2024 年的資本支出預測，原因是為滿足人工智慧 (AI) 產業激增的需求，加大投資製造高頻寬記憶體 (HBM) 的力道。該公司財務長 Matt Murphy 周二在摩根大通技術、媒體和通訊會議 (JPMorgan Technology, Media and Communications Conference) 上表示，將 2024 年的資本支出預測從先前的 75 億美元上調至約 80 億美元。
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SK海力士、美光領先記憶體晶片市場 三星仍不可小覷
《華爾街日報》(WSJ) 周一 (4/1) 報導，雖然南韓科技巨擘三星電子在人工智慧 (AI) 競賽落後美光 (MU-US) 和 SK 海力士，但有跡象表明三星可能正在縮小差距，即便迎頭趕上後面兩者的時間可能比預期長，但 AI 熱潮帶來的整體記憶體晶片吃緊，將成為其重要推動力。
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韓媒：最快自9月起 三星將獨家向輝達供應12層HBM3E
據韓媒 alphabiz 消息，輝達 (NVDA-US) 最快將自 9 月開始大量採購 12 層 HBM3E 記憶體，這些記憶體將由三星獨家供貨。目前，SK 海力士供應了輝達 AI 半導體中使用的大部分 HBM 產品，報導稱，SK 海力士計畫自本月末開始，大量生產 8 層 HBM3E 產品，但因部分工程問題，未能推出 12 層 HBM3E 產品。
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三星有望成輝達HBM供應商 股價勁揚逾5%
在報導傳出輝達 (NVDA-US) 正在測試三星 (005930-KR) 的高頻寬記憶體 (HBM)，為未來採用做準備後，三星周三 (20 日) 早盤勁揚逾 5%，股價登上逾兩個月高點。根據日經 (Nikkei) 報導，輝達共同創辦人黃仁勳表示，正在對三星的 HBM 晶片進行品質認證，以供未來使用。