HBM3E
彭博周三 (19 日) 報導，三星電子 (Samsung Electronics) 為回應股東對其在人工智慧 (AI) 領域表現不佳的批評，宣佈將強化其在高頻寬記憶體 (HBM) 晶片市場的地位。該公司計劃於今年第二季推出增強版的 12 層 HBM3E 晶片，並計劃於下半年生產先進的 HBM4 晶片。
南韓記憶體巨頭 SK 海力士今 (19) 日宣布，將在輝達主辦的 AI 盛會 GTC 2025 上首次展示自家打算今年下半量產的第六代高頻寬儲存(HBM4)，以及下一代 AI 伺服器記憶體標準 SOCAMM。SK 海力士總裁郭魯正、AI 基礎設施負責人金周善及全球銷售與行銷副總裁李相樂（音譯）等高層將出席輝達 GTC 大會。
台股新聞
HBM 大廠 SK 海力士今 (26) 日宣佈，公司將率先量產 12 層 HBM3E，容量達 36GB，比上一代高出 50%，為現有 HBM 產品中容量最大的產品，且透過將單片 DRAM 晶圓薄度減少 40%，並採用矽穿孔技術 (TSV) 技術垂直堆疊，12 層厚度與 8 層相同。
歐亞股
SK 海力士周四 (26 日) 股價盤中飆漲 8.4%，該公司表示已開始量產最新一代高頻寬記憶體 (HBM) 晶片的 12 層版本，以滿足當前人工智慧需求。SK 海力士今年的股價已大漲逾 25%。SK 海力士聲明中表示，全球首款最新一代 HBM 產品名為 HBM3E，共有 12 層，是迄現有 HBM 最大容量為 36GB，比當前賣給輝達輝達 (NVDA-US) 的版本更先進。
2024-09-26