LPDDR
英特爾前執行長季辛格最新專訪再轟高頻寬記憶體(HBM)，直稱其「醜陋、太差勁」，雖是現階段最佳方案，卻有嚴重架構缺陷。他指出，HBM位元密度低，且受「海岸線頻寬」限制。透過超寬匯流排連接運算晶片，HBM3/3E為1024位、HBM4升至2048位，物理層佔用晶片邊緣大量矽面積，運算晶片通常僅兩邊放HBM、另兩邊給系統I/O，可堆疊數量受限。
美股雷達
全球人形機器人市場擴張，正帶動記憶體新需求。市場研究機構Counterpoint預估，人形機器人DRAM需求將從2026年的約8,300Tbit，增至2030年的約17.2萬Tbit，規模約為目前的20倍。與AI伺服器不同，這波需求主力是低功耗記憶體LPDDR，推動力則來自出貨增加與單機容量提升。
美股雷達
三星電子在美國聖克拉拉舉行的 FMS 峰會上一口氣發布 zHBM、zNAND-O 兩款概念產品，以及業界首款堆疊超 400 層的 V10 BV-NAND，正面迎戰 SK 海力士與美光，試圖在 AI 時代重奪記憶體話語權。zHBM 最受矚目，徹底顛覆現行 2.5D 封裝架構，不再將 HBM 與 AI 晶片並排於矽中介層上，而是直接垂直堆疊在加速器上方。
國際政經
AI 浪潮席捲全球 科技巨頭逆勢裁員 微軟、亞馬遜年內合砍數萬人【本報綜合報導】全球科技業正面臨一場弔詭的「繁榮式裁員」。即便營收與獲利屢創新高，各大廠仍持續推進人員優化，市場普遍將矛頭指向生成式 AI 對白領工作的加速替代。根據人力諮詢機構 Challenger, Gray & Christmas（CG&C）統計，今年 5 月全球科技業裁員規模已攀至近年峰值。
歐亞股
隨著全球人工智慧 (AI) 基礎設施投資持續升溫，記憶體晶片市場正迎來新一輪的價格攻勢。據 ZDNet 報導，南韓業界消息指出，記憶體龍頭三星電子正與正與客戶展開強硬的價格談判，第三季通用 DRAM 均價 (ASP) 目標漲幅較上季最高達 20%。
外媒報導，AI 算力競賽持續升溫，但建置成本也正以驚人速度攀升，而伯恩斯坦 (Bernstein) 最新報告指出，輝達 (NVDA-US) 下一代 Vera Rubin NVL72 機櫃成本高達 910 萬美元，遠高於市場普遍預估的 800 萬美元，而一座 1GW 級 AI 資料中心的總投資額更逼近 473 億美元。