研調：價漲動能，今年DRAM產值年增上看30%

精實新聞 2013-05-31 記者 萬惠雯 報導

20130531_25_0.jpg -->標準型記憶體經過兩年價格崩跌，產值大減的負面循環之後，2013年出現價格反轉契機。研調機構DRAMeXchange表示，今年以來主流產品4GB模組合約價上揚近六成，帶動伺服器與行動式記憶體平均銷售單價止跌反彈，即使在位元供給年成長有限的情況下，今年產值可望增長30%。

DRAMeXchange表示，2013年的DRAM產業正進行大幅度的結構性調整，供需以及銷售價格改善牽動產值緩慢復甦。除了生產商間進行整併與重整外，因應雲端以及行動手持產品需求快速增長，DRAM供應商經營模式轉向其他更高毛利的產品別，企業獲利能力也因產品多角化(diversification)的程度而出現更大的差異。

DRAMeXchange表示，DRAM供應商無法再仰賴個人電腦(PC)等消費性產品支撐營運，因此針對需求位元成長的預測也逐年趨緩，致資本支出也轉趨保守；除了製程轉進的相關投資外，並未有建置新產能的計畫。

展望2014年，由於廠商製程轉進已經瀕臨物理極限，預計2014年2X奈米將成為主流製程。後續獲利能力將取決於高附加價值的產品(LPDDR4 or DDR4)以及下一個世代的堆疊技術(3D-IC, TSV)；單純依賴位元成長已退居為次要的獲利指標。由於製程持續微縮的難度大幅增高，在EUV (Extreme ultraviolet lithography)機台尚未齊備的前提下，DRAM產業未來數年的展望將可望延續2013年緩慢復甦的態勢；過往價格端大起大落的巨幅波動將成為歷史。

2014年三星半導體挾其高度垂直整合的企業結構囊括DRAM一半市占的態勢將維持不變，行動式記憶體事業將更受惠於其自有品牌的智慧型手機出貨而可望進一步提升營業利益；美商美光半導體與日商爾必達正式合併以後，不論是產能或是產品組合都能夠與位居第二的韓系廠SK Hynix一較高下；除了固有標準型記憶體以外，隨著隸屬行動式記憶體產品類別的eMCP(emmc multi-chip package)日趨普及，快閃記憶體(NAND FLASH)技術將成為競爭勝出的關鍵。