DRAM止跌、重金投資3D NAND！SK海力士飆4%

MoneyDJ新聞 2016-07-27  記者 陳苓 報導

南韓記憶體商SK海力士(SK Hynix)第二季營益創下13季新低，該公司出面喊話，稱記憶體市場好轉，價格回穩，下半年營運將有所改善。另外，該公司也擬砸下3兆韓圜(26億美元)，發展3D NAND flash。

韓媒etnews、BusinessKorea報導，DRAM價格連跌將近20個月，是SK海力士營益重挫的主因，但是DRAM供過於求的狀況已逐漸好轉。SK海力士董事長Kim Joon-ho表示，上季季末開始，DRAM過剩產能逐漸去化，Q3會持續改善。DRAM行銷集團主管Park Rae-hak也說，Q2出貨量大於產出，庫存低於前季。

不僅如此，DRAM價格出現止跌跡象，6月底DDR3 4GB DRAM的固定交易價為1.25美元，與前月持平。SK海力士表示，Q3是傳統旺季，DRAM供給情況應更為好轉，估計DRAM價格有望上漲。該公司也暗示，將確保獲利，意味不會增產搶市佔，下半年價格將可持穩。

NAND flash獲利較高，SK海力士也積極搶攻，今年下半將投資3兆韓圜，主要用於研發3D NAND flash，估計明年研發經費也有30~35%用於NAND，目標明年底3D NAND flash產出佔整體NAND的50%以上。

台北時間27日下午1點48分，SK海力士大漲4.21%、報33,400韓圜；若收在33,400韓圜，將創2015年10月21日以來收盤新高。今年迄今SK海力士走高8.62%。

南韓晶片廠商SK海力士26日公布2016年第2季財報：營收年減15%(季增8%)至3.941兆韓圜；受產品均價持續下滑的影響，營益年減67%(季減19%)至4,530億韓圜。SK Hynix下半年將增產2Znm DRAM、預估到今年底左右產量占比將升至40%。

日經新聞20日報導，因中國、台灣智慧手機廠商紛紛強化產品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用於智慧手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚，指標性產品6月份批發價在1個月期間內飆漲22%。

報導指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，7月價格仍持續走揚。

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