記憶體需求強勁 Q4 DRAM合約價可望再漲逾1成

第 3 季進入旺季需求帶動，記憶體、面板等關鍵零組件都終止長期價格頹勢，TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示，記憶體在筆電需求回溫、智慧型手機延續強勁成長態勢與伺服器需求增溫帶動下，DRAM 與 NAND Flash 第 4 季價格預計將同步上揚，特別是 DRAM 合約價第 4 季預估將再漲逾 1 成。

DRAMeXchange 預期 DRAM 市場至 2017 年都將維持健康的供需狀態，由於今年中國品牌智慧型手機表現超乎預期，伺服器出貨也受惠於中國數據中心需求增溫，下半年台系伺服器代工廠訂單與較上半年平均成長近兩成，促使 DRAM 原廠自第 2 季開始大幅調升行動式記憶體與伺服器記憶體的產出並調降標準型記憶體出貨。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示，今年第 4 季行動式記憶體出貨比重將逼近 45%，伺服器記憶體出貨比重突破 25%，標準型記憶體則僅剩不到 20%。
從筆電的市況來看，第 3 季北美地區筆電需求增溫，如惠普與戴爾出貨季成長都超過 8%，造成標準型記憶體供應緊俏，DDR3 與 DDR4 的 4GB 模組合約價格終於止跌回穩並站上 13.5 美元。

在原廠仍維持轉進毛利高的行動式記憶體的策略下，DRAMeXchange 預估，第 4 季標準型記憶體價格將持續上漲，DDR3 與 DDR4 的 4GB 模組將上看 15 美元，季漲幅 (季均價對季均價) 將達 15%，整體獲利結構逐步攀升，DRAM 市場未來 1 年都將維持健康的供需狀態。

行動式記憶體則持續受惠中國智慧型手機拉貨需求及新一代 iPhone 備貨將在第 4 季達高峰，目前已有部分中國大廠與主要 DRAM 供應商訂定的第 4 季合約漲價超過 1 成，預期第 4 季行動式記憶體漲幅也將相當可觀。

在大廠積極搶料下，第 4 季 NAND Flash 價格維持上漲，DRAMeXchange 指出，在 NAND Flash 部分，第 3 季蘋果與中國 OEM 大廠華為、vivo、OPPO 等拉貨動能優於預期，對整體 2D NAND Flash 產能消耗十分龐大，尤其在 NAND Flash 原廠轉進 3D - NAND Flash 速度不如預期情況下，供給更為緊俏。此外，企業級固態硬碟需求、筆電固態硬碟搭載率快速提升，同步造成第 3 季 NAND 產能缺口。

DRAMeXchange 表示，受到 OEM 端強大需求，及製程轉進不順的影響，讓三星、東芝、晟碟、美光等供應商，對模組商的供貨水位驟降，模組廠在原廠供貨短缺下只能被迫接受漲價。DRAMeXchange 調查顯示，截至 8 月下旬，主流 128Gb TLC wafer 合約均價已較 6 月底漲 10% 以上。

第 4 季 OEM 端客戶在不看好非三星陣營 3D - NAND Flash 的轉進進度，擔心導致供應吃緊的預期心理下，已經出現 Overbooking 與 Double Booking 的搶料動作。DRAMeXchange 預估，在智慧型手機客戶拉貨力道持續不墜下，供貨短缺情況料將延續，第 4 季 NAND Flash 價格仍維持上漲，模組廠是否願大量備貨成為價格漲幅多寡的關鍵。