大摩王安亞：暫不調整力晶評等 製程轉移疑慮尚待消除

摩根士丹利證券科技產業分析師王安亞發佈研究報告指出，力晶(5346-TW)第2季在DRAM價格持穩而明年轉移製程至45奈米的資本支出極低的情況下獲利成長，但明年卻可能因為缺乏浸潤式設備生產經驗而有製程轉移不順的問題。

王安亞指出，在市場完全消化DRAM價格在下半年和明年上半年下跌的風險之後，且力晶證明45奈米製程轉移順利，才會考慮上調評等。

王安亞認為，明年當對手已經在用40和50奈米製造2Gb產品時，力晶還用63奈米製造1Gb產品，將會有價格壓力。他並且指出DRAM現貨價格已經觸頂，第3季會逐步修正，而第4季價格會因為位元供給增加而有較大的跌勢。

力晶目前每個月有8萬片產能用在DRAM的製造，4萬片則供特殊用途DRAM、邏輯IC（驅動IC、CMOS和動力IC）以及Nand Flash等產品的代工。力晶每個月並可從持有36%股權的瑞晶取得2.6萬片產能。

王安亞指出，力晶標準型DRAM位元在第3季會有20-25%的季增率，6月導入63奈米製程，預計到年底完全移轉，明年則轉換為45奈米。資本支出為126億元 (折舊280億元)，其中1/3會用在45奈米製程的轉移上。

王安亞表示，力晶訂了兩部45奈米的浸潤式設備，但今年第4季只能拿到一部，所以會在年底先行試產45奈米，視設備取得狀況，期望明年第2季可全線以45奈米製程製造2Gb的產品。