智原推出90奈米USB 3.0實體層IP
鉅亨網記者蔡宗憲 台北
IC設計智原(3035-TW)今(30)日發表適用於聯電(2303-TW)90奈米高速(HS)製程的USB 3.0實體層,此IP符合USB 3.0第1.0版的功能規格與電氣特性,最高速度可達5.0Gbps;同時,智原推出的IP功耗與面積較小,將可大幅提升其系統設計上的彈性並擴大目標應用市場。
基於USB 3.0可向下相容,以及傳輸速度較USB 2.0提升10倍優勢,儼然可望成為下一代新的主流傳輸規格,但由於其較大的功耗與面積,導致未來在一些手持式或消費性電子的裝置端,仍出現了市場發展瓶頸,有鑑於此,智原自從率先發表0.13微米的USB 3.0解決方案以來,仍持續針對降低功耗以及縮減晶片尺寸部分,進行最根本的架構改良。
智原科技策略長王國雍表示,繼智原推出0.13微米的 USB 3.0解決方案之後,很快又推出90奈米方案,目前已有主機端(HOST)客戶採用智原的0.13微米IP、並成功量產主機板與express card等控制晶片,而裝置端(DEVICE)部分也有客戶成功量產外接硬碟與快閃儲存裝置,預期此次推出的90奈米方案,將以其低功耗與小尺寸的效能表現,協助客戶實現更精密的SoC設計,並擴及到印表機、監控系統、伺服器與手持應用等市場。
為達預設面積與功耗目標,智原的設計團隊在IP的架構上進行精密的改良,包括以規律的PLL結構來減少設計角落(design corners),以降低佔用的面積,同時,智原在CDR部分引進dual-loop half-rate架構,並採用主動式peaking方式提高傳輸器(transmitter)的有效頻寬,使其在低功耗的狀態下,仍能達到5Gbps的傳輸效率。
智原科技研發處長曾玉光表示,智原在高速傳輸介面的技術,已累積豐富的經驗,此次推出90奈米USB 3.0的IP,下一進程將陸續開發聯電的0.11微米鋁製程、以及55奈米製程IP,以提供給客戶更完整與兼顧不同需求的高度競爭力解決方案。
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