智原推出90奈米USB 3.0實體層IP

IC設計智原(3035-TW)今(30)日發表適用於聯電(2303-TW)90奈米高速(HS)製程的USB 3.0實體層，此IP符合USB 3.0第1.0版的功能規格與電氣特性，最高速度可達5.0Gbps；同時，智原推出的IP功耗與面積較小，將可大幅提升其系統設計上的彈性並擴大目標應用市場。

基於USB 3.0可向下相容，以及傳輸速度較USB 2.0提升10倍優勢，儼然可望成為下一代新的主流傳輸規格，但由於其較大的功耗與面積，導致未來在一些手持式或消費性電子的裝置端，仍出現了市場發展瓶頸，有鑑於此，智原自從率先發表0.13微米的USB 3.0解決方案以來，仍持續針對降低功耗以及縮減晶片尺寸部分，進行最根本的架構改良。

智原科技策略長王國雍表示，繼智原推出0.13微米的 USB 3.0解決方案之後，很快又推出90奈米方案，目前已有主機端(HOST)客戶採用智原的0.13微米IP、並成功量產主機板與express card等控制晶片，而裝置端(DEVICE)部分也有客戶成功量產外接硬碟與快閃儲存裝置，預期此次推出的90奈米方案，將以其低功耗與小尺寸的效能表現，協助客戶實現更精密的SoC設計，並擴及到印表機、監控系統、伺服器與手持應用等市場。

為達預設面積與功耗目標，智原的設計團隊在IP的架構上進行精密的改良，包括以規律的PLL結構來減少設計角落(design corners)，以降低佔用的面積，同時，智原在CDR部分引進dual-loop half-rate架構，並採用主動式peaking方式提高傳輸器(transmitter)的有效頻寬，使其在低功耗的狀態下，仍能達到5Gbps的傳輸效率。

智原科技研發處長曾玉光表示，智原在高速傳輸介面的技術，已累積豐富的經驗，此次推出90奈米USB 3.0的IP，下一進程將陸續開發聯電的0.11微米鋁製程、以及55奈米製程IP，以提供給客戶更完整與兼顧不同需求的高度競爭力解決方案。