【技術認證】中芯(00981-HK)45LL技術成功完成工藝認證及SRAM產品認證

中芯國際公布，集團其低漏電(LL)45納米(nm)技術在中芯國際上海的300毫米工廠內已成功通過工藝認證及SRAM產品認證(I/O 1.8V)，其32兆、位元單元為0.299 um2的 SRAM良率高於85%。

中芯指，已著手研發45納米低漏電單元庫和IP，指認證提升其邏輯技術在內地的領先地位‧

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