NAND勢力版圖將劇變？長江存儲找美光洽談技術合作

MoneyDJ 新聞 2016-11-18  記者 蔡承啟 報導

日經新聞 18 日報導，背後有中國政府撐腰的半導體大廠長江存儲科技已和美國美光 (Micron) 就技術合作展開協商，長江存儲目標藉由美光的技術於 2019 年量產使用於智慧手機等用途的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)，而此恐改變現行由日美韓廠商寡佔的全球 NAND Flash 勢力版圖。

報導指出，長江存儲副董事長、也擔任長江存儲大股東「國家集成電路產業投資基金 (大基金)」總裁職務的丁文武 17 日接受採訪時表示，「希望能導入 NAND Flash 新技術，因此正和美光進行協商，且希望能在明年談出個結果」；丁文武並指出，「除美光之外，也對東芝等海外大廠打開協商大門、不排除進行合作的可能性」。但半導體業界關係人士認為，「長江存儲的合作協商優先順序以美光較高」。

據報導，長江存儲是以中國紫光集團的記憶體部門為母體、並獲得大基金等出資所設立，計畫砸下 240 億美元興建全球最大規模 NAND Flash 工廠，預計於 2019 年開始生產，目標在 2020 年將月產能提高 30 萬片 (以 12 吋晶圓換算)、2030 年進一步擴大至 100 萬片。

根據 IHS Technology 的資料顯示，2015 年三星電子於全球 NAND Flash 市場拿下 30.8% 的市佔率 (以金額換算、以下同) 位居首位，其次為東芝 (Toshiba) 的 19.4%、Western Digital(WD)的 15.6%、美光的 14.7%、SK Hynix 的 11.8%、英特爾 (Intel) 的 6.8%。

日經新聞 9 月 11 日報導，在中國境內，其國內外半導體廠商將進行大規模增產，包含紫光集團計畫興建的巨大記憶體工廠在內，預估中國境內最少有 10 座半導體工廠的興建計畫，預估截至 2020 年為止的 5 年內，中國境內的半導體總投資額將較過去 5 年增加一倍至 5 兆日圓的規模。

報導指出，紫光集團旗下擁有晶圓代工廠武漢新芯 (XMC)，且雙方計畫攜手在武漢市砸下 2.4 兆日圓興建記憶體工廠，逐步擴增使用於智慧型手機的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory) 產能、且之後也計畫將生產項目擴大至 DRAM。除中國廠商之外，外資廠商也加快在中國的投資腳步。美國英特爾計畫提高大連市記憶體工廠產能、南韓三星電子可能在中國進行追加投資、台灣台積電 (2330) 也計畫在南京建廠。

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