衝記憶體產能,海力士3.2兆韓圜投資案出爐
鉅亨網新聞中心
MoneyDJ 新聞 2016-12-22 記者 陳瑞哲 報導
韓國記憶體製造商 SK 海力士周四宣布 3.16 兆韓圜(27 億美元)的投資計畫,希望同時在韓國與中國兩地增加記憶體產能,以滿足行動與資料儲存市場的需求。 海力士表示將在韓國蓋一座全新 NAND 快閃記憶體廠,預算達 2.2 兆韓圜,有望拉近與三星的差距。市調機構 TrendForce 指出,NAND 供貨仍然吃緊,明年報價預估將持續走揚 除此之外,隨著智慧型手機對記憶體容量要求越來越高,DRAM 市況亦呈現供不應求。有鑒於此,海力士還將加碼投資中國 DRAM 廠 9,500 億韓圜,藉以擴充產能。 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 統計數據顯示,全球第三季 DRAM 營收季增 15.8%,其中三星 DRAM 營收季增 22.4%,市佔率來到 50.2%。海力士與美光市佔率則各為 24.8% 與 12.6%。 *編者按:本文僅供參考之用,並不構成要約、招攬或邀請、誘使、任何不論種類或形式之申述或訂立任何建議及推薦,讀者務請運用個人獨立思考能力,自行作出投資決定,如因相關建議招致損失,概與《精實財經媒體》、編者及作者無涉。
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