〈紅潮洶湧〉中國今年晶圓廠建廠支出佔全球7成 金額倍增達40億美元

國際半導體協會 SEMI 今 (17) 日指出，中國積極建置晶圓廠產能，去年前段晶圓代工設備投資佔全球比重已拉升到 19%，晶圓廠建廠支出金額達 20 億美元，預期今年相關投資金額將倍增至 40 億美元，佔今年全球晶圓廠蓋廠金額 7 成。

SEMI 產業研究資深經理曾瑞榆指出，中國晶圓廠投資金額持續擴增，凸顯當地強勢發展半導體產業的企圖心。雖然目前中國晶圓代工技術仍無法與台積電 (2330-TW) 抗衡，但以其龐大內需，加上同步發展記憶體技術，未來對全球半導體產業發展的影響性，值得關注。

SEMI 今日舉行年終媒體餐敘，分析中國半導體晶圓代工產業發展趨勢。根據統計，中國 2012 年開始，晶圓設備支出金額與建廠投資金額快速成長，佔全球設備投資金額比重，自 5 至 7% 一路往上攀升，至去年底止中國晶圓設備投資金額已佔全球比重達 19%。

曾瑞榆預期，中國未來幾年還有 20 個以上新晶圓廠將陸續興建，從現在進度來看，中國大陸去年建廠支出金額已從 2015 年的 6.7 億美元成長到 20 億美元，今年估支出金額將倍增達 40 億美元，較去年倍增，明年更可望持續成長，有機會衝到 100 億美元。

曾瑞榆表示，今年全球晶圓廠建廠支出金額估較去年下滑 17-18%，但中國逆勢成長，展現雄心壯志擴充當地晶圓廠規模，換算今年全球晶圓建廠支出金額中，中國占比高達 7 成，預期當地建廠支出金額將持續成長至明年。

曾瑞榆指出，從目前全球前三大建廠支出投資金額來看，最大建廠支出市場仍是台灣，其次是南韓或美國，第三大是中國。中國將持續維持第三大，而記憶體與晶圓代工皆是主要驅動力，預期 2018 年中國建廠支出將攀升到 100 億美元，相當於台積電 (2330-TW) 一年的資本支出，也將較今年倍增。

曾瑞榆也說，中國晶圓代工龍頭中芯國際一年仍可望維持 20 億美元的建廠支出金額成長，另外其他晶圓廠包含台積電、聯電、三星、海力士、長江存儲等，都將持續擴充建廠，帶動中國設備業投資金額成長。

至於今年半導體市場景氣，曾瑞榆預估整體市場成長約 5 至 7%，其中成長主力仍來自於記憶體 3D NAND 相關。