英特爾傳與紫光合作 研調憂恐對NAND價格走勢帶來變數

英特爾與美光已宣布，將在完成第三代 3D NAND Flash 研發後終止合作，各自尋找合作夥伴，根據 TrendForce 記憶體存儲研究 (DRAMeXchange) 調查，英特爾與紫光集團正積極研擬後續合作計畫，雙方可望建立正式銷售合作關係。紫光這項策略，可望是以較低售價切進 Chromebook 或其他消費性電子產品的應用，後續恐對 NAND Flash 整體價格走勢將帶來變數。

DRAMeXchange 指出，英特爾與美光雙方目前共同研發的第二代產品為 64 層 3D NAND Flash，預計第三代將可堆疊 96 層，代表 96 層以後 3D NAND Flash 的產品研發，英特爾將正式與美光分道揚鑣；這項決議不會對雙方後續的製程提升、產品規劃產生重大影響，但在確定分家後，雙方將有更大的彈性尋求新合作夥伴。

DRAMeXchange 表示，英特爾一直高度關注中國市場，在 CPU、modem、記憶體等領域都積極尋求不同的合作或合資機會，並持續擴大在中國的產能，包含在中國大連地區以 3D NAND 為主的自主產能將持續擴張。

DRAMeXchange 調查顯示，近日英特爾與中國紫光存儲 (紫光集團旗下子公司) 正積極擬訂長期合約，未來紫光將能自英特爾獲得一定比例 NAND 晶圓，經自行封裝測試成不同產品後，由紫光自有通路進行銷售。

觀察紫光在快閃記憶體的布局，主要由長江存儲負責快閃記憶體的開發設計與生產，紫光存儲負責銷售；但目前長江存儲所設計的 NAND Flash 產品仍以 32 層為主，因此在正式開發出 64 層或更高層數的產品以前，紫光存儲為維持通路銷售競爭力，將透過協議每個月自英特爾取得快閃記憶體晶圓成品，再封裝成包含 UFS、eMMC 及 SSD 產品。

DRAMeXchange 認為，紫光透過合作，除維持通路競爭力外，也能加強品牌能見度，儘管一開始還無法切入中高端智慧型手機，或在 client SSD 領域取得優勢，但這些策略將可以較低售價切進包含 Chromebook 或其他消費性電子產品的應用，後續恐對 NAND Flash 整體價格走勢帶來變數。