隨需求放緩 三星擬下修記憶體晶片產量增幅以穩定價格

近期，市場普遍認為記憶體需求已經放緩，記憶體成長率可能逐步下滑。對此，韓國記憶體大廠三星電子 (005930-KR) 計劃在明年減少記憶體晶片產量的長幅，以緊縮供應，並穩住價格。

據報導，全球最大的 NAND 和 DRAM 晶片生產商三星將下調今年 (2018 年) 記憶體晶片的位元成長率以支撐價格。DRAM 的位元成長率將從原先預期的 20% 下修到 20% 以下，而 NAND 快閃記憶體的位元成長率也從原先的 40% 下修到 30%。位元成長率通常做為記憶體產量的評估指標，用來衡量市場需求。

對此，三星沒有表示任何回應。

本月早些時候，美國晶片製造商柯磊 (KLAC-US) 就曾對於晶片銷售發出「乾旱」的警告，引發了市場對兩年內記憶體產業超級週期可能會停滯不前的擔憂。

「許多人一直擔心記憶體週期已經觸及高點，但供應量的下降可望能支撐價格。」Elazar Advisors 分析師 Chaim Siegel 表示。他也補充道，造成 NAND 的供應過剩是由於蘋果 (AAPL-US) 撤回需求和固態硬碟 (SSDs) 不如預期中的快速成長。

Summit Insights Group 的分析師 Kinngai Chan 表示:「當然，這一新聞將為美光等記憶體公司帶來短期成長動能。」不過，他也表示「我們仍然需要繼續監測未來幾季 DRAM 和 NAND 價格下跌的速度。」

目前，市場上 DRAM 和 NAND 快閃記憶體晶片的供應由三星、SK 海力士 (000660-KR) 和美光 (MU-US) 共同主導。