〈華邦電法說〉Q3獲利攀18年單季新高 前3季賺贏去年全年 EPS 1.65元

記憶體大廠華邦電 (2344-TW) 今 (29) 日召開法說會，第 3 季 DRAM 與 NOR Flash 表現均持穩，加上業外收益挹注，使稅後純益達 28.4 億元，創 18 年來單季獲利新高，每股稅後純益 0.71 元；前 3 季稅後純益 65.67 億元，已超越去年全年的 55.5 億元，每股稅後純益 1.65 元。

華邦電第 3 季合併營收 136.81 億元，季增 1%，年增 9%，毛利率 38%，季減 1 個百分點，年增 1 個百分點，營益率 16%，季減 2 個百分點，年減 1 個百分點；稅後純益 28.4 億元，季增 32%，年增 36%，每股稅後純益 0.71 元。

華邦電前 3 季合併營收 393.22 億元，年增 14.35%，毛利率 38.35％，年增 5.4 個百分點，營益率 17.03%，年增 4.17 個百分點；稅後純益 65.67 億元，年增 74.6%，每股稅後純益 1.65 元。

華邦電總經理詹東義表示，第 3 季出貨量未受市場變化而減少，營運表現與第 2 季持平，包括 DRAM 與 NOR Flash 表現均持穩，僅 SLC NAND 價格有壓，但需求仍在。獲利表現部分，受惠近 5 億元所得稅利益挹注，使獲利表現攀揚。

華邦電第 3 季 DRAM 產品事業群營收占比約 53％，詹東義表示，DRAM 營收成長及位元成長率增加，主要來自市場需求與製程提升，自主研發的第一代製程技術 38 奈米，已於第 3 季逐步量產，貢獻營收表現，使 DRAM 營收比重開始拉升。

Flash 第 3 季營收占比則約 47%，詹東義指出，Flash 第 3 季表現相對第 2 季穩定，僅 SLC NAND 由於中國市場受到外在環境因素影響，價格方面有壓力，但需求仍在。

毛利率表現部分，之所以較上季衰退 1 個百分點，詹東義解釋，由於 38 奈米是華邦電自主研發的第一代製程技術，產品效益仍有改善空間，加上 NAND 價格有些壓力，使毛利率較上季微幅衰退。

資本支出方面，華邦電副總經理黃求己指出，原先預估全年資本支出共 192 億元，但由於有些機器設備延後交期較晚，付款時程也延後，因此今年資本支出金額降至 178 億元。

從華邦電第 3 季記憶體產品營收應用類別占比，分別為消費性電子 30%、通訊電子 27%、電腦相關佔 26%、車用及工業用相關佔 17%。其中，消費性電子營收季增 7%，電腦相關營收季增 6%，車用及工業用營收季增 7%，僅通訊電子季減 7%。