趁美打壓陸半導體！海力士砸120兆韓圜建4座半導體廠 擴技術差距

週三 (21 日) 南韓記憶體大廠海力士 (SK Hynix) 宣布，將計劃在 2022 年之後的十年之內斥資 120 兆韓圜，於南韓龍仁市建造四座半導體工廠，海力士發言人表示，目前規劃龍仁市新廠主要產品將是次世代的儲存記憶體及 DRAM 晶片。

目前海力士已經遞交了投資意向書，而該項投資計劃約占地 450 萬平方公尺，估計未來共有 50 家半導體材料商、設備商等都將進駐該區，進而打造成全球最大的半導體聚落。

海力士指出，也將在未來十年內，繼續投資現有的兩座南韓利川、清川半導體廠共 55 兆韓圜，擴大產能，但中國無錫廠則是尚未決定是否擴廠。

海力士發言人表示，本次計劃是海力士長達十年的投資規劃，未來策略可能視市場狀況改變，但現行目標為新廠將生產 DRAM 記憶體和次世代記憶體。

南韓券商 Mirae Asset Daewoo 分析師亦分析，雖然目前來自自駕車的晶片需求仍不足，但估計在未來十年間，自駕車晶片市場需求將大幅成長，可望為海力士創造更多的記憶體晶片需求。

中、韓的半導體競爭：

近年來，中國在半導體大基金的籌資帶動下，早已介入進半導體記憶體領域，雖然目前全球記憶體產業仍以三星電子、海力士二大巨頭為首，但據 2018 年南韓產業技術振興院發布 (KIAT) 的報告顯示，雖然中國半導體技術仍然落後，但中國已可以透過 30、40 奈米技術，生產非伺服器或行動記憶體晶片。

南韓產業技術振興院該份報告並指出，若中國自產的 DRAM、NAND Flash 記憶體開始逐步量產進入市場，那麼估計將衝擊韓國記憶體產業 78 億美元，其中衝擊 DRAM 產業 67 億美元、NAND Flash 產業 11 億美元。

據南韓媒體《DDaily》去年 11 月報導，目前中國長江存儲在 NAND Flash 技術上已經獲得突破，估計在 2019 年 Q4 即能夠量產 64 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體，但預計量產規模不會太大，因長江存儲的最終目的，是希望在 2020 年跳過 96 層堆疊技術，快速切入 128 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體量產。

面對中國來勢洶洶的進攻，市場分析，由於這次中國受到美國政府針對《中國製造 2025》的「科技禁售令」打壓，例如將中國福建晉華列入出口管制清單，「禁售令」已造成中國 DRAM 廠今年的投產計劃延後，中國 DRAM 在短期內可能很難討論到量產事宜，而本次韓廠擴大投資，即是希望趁此拉開與中國的技術與產能差距。

南韓海力士的大規模投資，估計將加劇南韓與中國在半導體產業上的軍備競賽，目前南韓是全球最大的半導體記憶體出口國，而中國方面則是全球最大的晶片消費國，中國正極力增加半導體投資，以降低進口依賴程度。

上週南韓財長 Hong Nam-ki 亦表示，南韓政府將加速審批相關的半導體投資案，以加快南韓半導體企業的投資進程，預期南韓與中國在記憶體產業上的碰撞，將會越來越激烈。